RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

, ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Гетероструктуры GexSi1–x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе GexSi1–x/Si, в частности, обсуждается использование "податливых" и "мягких" подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

Текст pdf (813 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879
PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/
000173467700001
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879

Список литературы (140) Статьи, ссылающиеся на эту (60) Похожие статьи (20) ↓

  1. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов «Процессы конденсации тонких пленок» УФН 168 1083–1116 (1998)
  3. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния» УФН 178 139–169 (2008)
  4. В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина «Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах» УФН 165 887–917 (1995)
  5. В.В. Слезов, В.В. Сагалович «Диффузионный распад твердых растворов» УФН 151 67–104 (1987)
  6. Ф.М. Куни, А.К. Щекин, А.П. Гринин «Теория гетерогенной нуклеации в условиях постепенного создания метастабильного состояния пара» УФН 171 345–385 (2001)
  7. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа» УФН 176 913–930 (2006)
  8. В.Н. Бинги, А.В. Савин «Физические проблемы действия слабых магнитных полей на биологические системы» УФН 173 265–300 (2003)
  9. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» УФН 183 673–718 (2013)
  10. А.М. Желтиков «Сверхкороткие световые импульсы в полых волноводах» УФН 172 743–776 (2002)
  11. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе и др. «Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов» УФН 174 383–405 (2004)
  12. А.М. Желтиков «Комбинационное рассеяние света в фемто- и аттосекундной физике» УФН 181 33–58 (2011)
  13. А.В. Голенищев-Кутузов, В.А. Голенищев-Кутузов, Р.И. Калимуллин «Индуцированные домены и периодические доменные структуры в электро- и магнитоупорядоченных веществах» УФН 170 697–712 (2000)
  14. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» УФН 188 913–934 (2018)
  15. М.А. Семина, Р.А. Сурис «Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах» УФН 192 121–142 (2022)
  16. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» УФН 175 735–744 (2005)
  17. А.П. Пятаков, А.К. Звездин «Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики» УФН 182 593–620 (2012)
  18. Г.В. Дедков «Нанотрибология: экспериментальные факты и теоретические модели» УФН 170 585–618 (2000)
  19. А.В. Елецкий «Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе» УФН 177 233–274 (2007)
  20. Л.А. Фальковский «Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света» УФН 174 259–283 (2004)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение