RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

Июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

, ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Гетероструктуры GexSi1-x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе GexSi1-x/Si, в частности, обсуждается использование «податливых» и «мягких» подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

Текст pdf (813 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879
PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/
000173467700001
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879

Список литературы (140) Статьи, ссылающиеся на эту (57) Похожие статьи (20) ↓

  1. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов «Процессы конденсации тонких пленок» УФН 168 1083–1116 (1998)
  3. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния» УФН 178 139–169 (2008)
  4. В.В. Слезов, В.В. Сагалович «Диффузионный распад твердых растворов» УФН 151 67–104 (1987)
  5. В.Н. Бинги, А.В. Савин «Физические проблемы действия слабых магнитных полей на биологические системы» УФН 173 265–300 (2003)
  6. А.В. Голенищев-Кутузов, В.А. Голенищев-Кутузов, Р.И. Калимуллин «Индуцированные домены и периодические доменные структуры в электро- и магнитоупорядоченных веществах» УФН 170 697–712 (2000)
  7. В.И. Фистуль, Н.З. Шварц «Туннельные диоды» УФН 77 109–160 (1962)
  8. Р.И. Гарбер, И.А. Гиндин «Физика прочности кристаллических тел» УФН 70 57–110 (1960)
  9. В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина «Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах» УФН 165 887–917 (1995)
  10. А.Л. Фрадков «О применении кибернетических методов в физике» УФН 175 113–138 (2005)
  11. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» УФН 175 735–744 (2005)
  12. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа» УФН 176 913–930 (2006)
  13. В.И. Бойко, А.Н. Валяев, А.Д. Погребняк «Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц» УФН 169 1243–1271 (1999)
  14. М.О. Катанаев «Геометрическая теория дефектов» УФН 175 705–733 (2005)
  15. Г.В. Дедков «Нанотрибология: экспериментальные факты и теоретические модели» УФН 170 585–618 (2000)
  16. Г.Н. Макаров «Экстремальные процессы в кластерах при столкновении с твердой поверхностью» УФН 176 121–174 (2006)
  17. А.В. Елецкий «Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе» УФН 177 233–274 (2007)
  18. А.И. Олемской, И.А. Скляр «Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации» УФН 162 (6) 29–79 (1992)
  19. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» УФН 155 219–264 (1988)
  20. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение