Гетероструктуры Ge_xSi_1-x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе Ge_xSi_1-x/Si, в частности, обсуждается использование «податливых» и «мягких» подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все) DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ 000173467700001 Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001) BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English %0 Journal Article %T Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур %A Ю. Б. Болховитянов %A О. П. Пчеляков %A С. И. Чикичев %I Успехи физических наук %D 2001 %J Усп. физ. наук %V 171 %N 7 %P 689-715 %U https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ %U https://doi.org/10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879