Выпуски

 / 

1962

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Туннельные диоды

Введение. Принцип действия туннельного днода. Туннельный эффект в полупроводниках. Количественное рассмотрение туннельного эффекта в p-n-переходе. Физические основы изготовления туннельных диодов. Параметры,характеризующие туннельные диоды. Конструктивное оформление туннельных диодов. Режимы работы схем с туннельными диодами и вопросы устойчивости. Измерение параметров туннельных диодов. Генераторы на туннельных диодах. Усилители на туннельных диодах. Некоторые другие применения туннельных диодов. Применение туннельных диодов для физических исследований. Цитированная литература.

Текст pdf (3,8 Мб)
PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
Цитата: Фистуль В И, Шварц Н З "Туннельные диоды" УФН 77 109–160 (1962)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Fistul’ V I, Shvarts N Z “TUNNEL DIODESSov. Phys. Usp. 5 430–459 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v005n03ABEH003425

© Успехи физических наук, 1918–2023
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение