Выпуски

 / 

1962

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Туннельные диоды

Введение. Принцип действия туннельного днода. Туннельный эффект в полупроводниках. Количественное рассмотрение туннельного эффекта в p-n-переходе. Физические основы изготовления туннельных диодов. Параметры,характеризующие туннельные диоды. Конструктивное оформление туннельных диодов. Режимы работы схем с туннельными диодами и вопросы устойчивости. Измерение параметров туннельных диодов. Генераторы на туннельных диодах. Усилители на туннельных диодах. Некоторые другие применения туннельных диодов. Применение туннельных диодов для физических исследований. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
Цитата: Фистуль В И, Шварц Н З "Туннельные диоды" УФН 77 109–160 (1962)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Fistul’ V I, Shvarts N Z “TUNNEL DIODESSov. Phys. Usp. 5 430–459 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v005n03ABEH003425

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение