Гетероструктуры Ge_xSi_1-x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе Ge_xSi_1-x/Si, в частности, обсуждается использование «податливых» и «мягких» подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все) DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ 000173467700001 Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур AU Болховитянов, Ю. Б. AU Пчеляков, О. П. AU Чикичев, С. И. PB Успехи физических наук PY 2001 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 171 IS 7 SP 689-715 UR https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879