Выпуски

 / 

2005

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

 а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 1010 Вт) и частоты следования (до 104 Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 102 А см-2 и обрываемую мощность до 108 Вт. Вторые, соответственно, до 105 А см-2 и 1010 Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/
Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switchingPhys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение