Олег Петрович Пчеляков



Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация


Статьи

Число цитирований

1 Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008) 231
2 Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» УФН 171 689–715 (2001) 58
3 О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» УФН 170 993–995 (2000) 2

291
О.П. Пчеляков: суммарное число цитирований статей, опубликованных в УФН

См. также: Ю.Б. Болховитянов, С.И. Чикичев

PACS: 61.72.Lk, 81.15.-z, 62.25.-g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 85.40.Sz, 62.25.+g, 73.40.Kp, 07.07.-a, 81.15.Hi, 85.30.-z

© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение