Выпуски

 / 

1995

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах

 а,  б
а Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация
б Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли-Рида. Модель содержит два акцепторных уровня E1 и E2, а также один донорный ε1. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости C1 для акцепторного уровня E1. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в n и p состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень E1 оказывается расположенным в окрестности E1 \backsimeq 0,1 эВ над потолком валентной зоны, а емкость C1 \lesssim 0,1. В случае кремния E1 \backsimeq 0,4 эВ, C1 \lesssim 0,1. Обращает на себя внимание малость емкости C1, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.72.Lk, 71.55.Cn, 72.80.Cw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199508b.0887
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/
Цитата: Шикин В Б, Шикина Ю В "Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах" УФН 165 887–917 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shikin V B, Shikina Yu V “Charged dislocations in semiconductor crystalsPhys. Usp. 38 845–875 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n08ABEH000099

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение