Выпуски

 / 

2006

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа

 а, б,  б
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST, 7-3-1 Hongo, Tokyo, 113-8656, Japan

Рассмотрено состояние исследований по созданию наноструктур на поверхностях полупроводников с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Анализируется процесс непрерывного переноса атомов при направленной поверхностной диффузии под действием электрического поля СТМ в условиях испарения поверхностных атомов полем. Исследуется влияние облучения внешним электронным пучком на взаимодействие образца и зонда. Облучение создает условия как для уменьшения барьера для прямых межатомных реакций, так и для изменения направления переноса атомов между зондом и образцом. Показаны возможности создания наноструктур, таких, как островки и линии германия и кремния, а также окон кремния на окисленной поверхности кремния.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 68.37.Ef, 79.70.+q, 81.16.Ta (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200609a.0913
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/a/
Цитата: Шкляев А А, Ичикава М "Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа" УФН 176 913–930 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shklyaev A A, Ichikawa M “Fabrication of germanium and silicon nanostructures using a scanning tunneling microscopePhys. Usp. 49 887–903 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006070

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение