RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

, ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Гетероструктуры GexSi1–x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе GexSi1–x/Si, в частности, обсуждается использование "податливых" и "мягких" подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

Текст pdf (813 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879
PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/
000173467700001
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879

Список литературы (140) Статьи, ссылающиеся на эту (60) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Lozovoy K A, Dirko V V et al Journal of Crystal Growth 695 128818 (2026)
  2. Stupak M F, Dvoretsky S A et al Journal of Applied Physics 138 (19) (2025)
  3. Gutkin M Yu, Kolesnikova A L et al Phys. Metals Metallogr. 125 (11) 1211 (2024)
  4. Zhu Y, Zhang Y et al Electrochimica Acta 493 144416 (2024)
  5. Kaganer V M J Appl Crystallogr 57 (2) 276 (2024)
  6. Zhang Y, Zhou Ch et al Journal of Applied Physics 133 (7) (2023)
  7. Genath H, Norberg Je et al Thin Solid Films 763 139561 (2022)
  8. Trushin O S, Rudenko K V, Lukichev V F International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, (2022) p. 1
  9. Tuktamyshev A, Vichi S et al SSRN Journal (2022)
  10. Tuktamyshev A, Vichi S et al Journal of Crystal Growth 600 126906 (2022)
  11. Dolbak A E, Zhachuk R A J. Exp. Theor. Phys. 133 (1) 44 (2021)
  12. Sreseli O M, Bert N A et al Semiconductors 54 (2) 181 (2020)
  13. Shugurov A R, Panin A V Tech. Phys. 65 (12) 1881 (2020)
  14. Candussio S, Budkin G V et al Phys. Rev. Materials 3 (5) (2019)
  15. Magomedov M N Phys. Solid State 61 (11) 2145 (2019)
  16. Kovalskiy V A, Eremenko V G et al Applied Surface Science 479 930 (2019)
  17. Bukharaev A A, Zvezdin A K et al Успехи физических наук 188 (12) 1288 (2018) [Bukharaev A A, Zvezdin A K et al Phys.-Usp. 61 (12) 1175 (2018)]
  18. Tregulov V V, Litvinov V G, Ermachikhin A V Semiconductors 52 (7) 891 (2018)
  19. Schulze A, Strakos L et al Nanoscale 10 (15) 7058 (2018)
  20. Plusnin N I, Maslov A M Tech. Phys. Lett. 44 (3) 187 (2018)
  21. Plyusnin N I Tech. Phys. Lett. 44 (11) 980 (2018)
  22. Artemyuk V A, Karbivska L I et al Usp. Fiz. Met. 18 (3) 235 (2017)
  23. Kaganer V, Ulyanenkova T et al Journal of Applied Physics 122 (10) (2017)
  24. Muslimov A E, Butashin A V et al Crystallogr. Rep. 61 (1) 63 (2016)
  25. Kolotovkina D A, Gutakovskii A K, Bakarov A K Nanotechnol Russia 11 (1-2) 12 (2016)
  26. Maras E, Trushin O et al Computer Physics Communications 205 13 (2016)
  27. Sharabani Ya, Shafir I et al IEEE Electron Device Lett. 37 (8) 1041 (2016)
  28. Trushin O, Maras E et al Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 24 (3) 035007 (2016)
  29. Drozdov Yu N, Drozdov M N et al Semiconductors 49 (1) 19 (2015)
  30. Vengrenovich R D, Ivanskii B V et al Semiconductors 48 (6) 783 (2014)
  31. Benediktovitch A, Feranchuk I, Ulyanenkov A Springer Series in Materials Science Vol. Theoretical Concepts of X-Ray Nanoscale AnalysisX-Ray Diffraction from Crystals with Defects183 Chapter 6 (2014) p. 217
  32. Vasiliev A L, Roddatis V V et al Nanotechnol Russia 8 (5-6) 317 (2013)
  33. Kukushkin S A, Osipov A V KEM 528 145 (2012)
  34. Kopp V S, Kaganer V M et al Phys. Rev. B 85 (24) (2012)
  35. Shanygin V Ya, Yafarov R K Tech. Phys. 57 (8) 1115 (2012)
  36. Kaganer V M, Sabelfeld K K Physica Status Solidi (a) 208 (11) 2563 (2011)
  37. Trukhanov E M J. Surf. Investig. 4 (1) 36 (2010)
  38. Leonhardt D, Sheng J et al Thin Solid Films 518 (21) 5920 (2010)
  39. Zinov’ev V A Optoelectron.Instrument.Proc. 45 (4) 332 (2009)
  40. Psakhie S G, Rudenskiĭ G E et al Tech. Phys. Lett. 35 (3) 217 (2009)
  41. Khizhnyi V I Low Temperature Physics 34 (1) 63 (2008)
  42. Шкляев А А, Ичикава М Uspekhi Fizicheskikh Nauk 178 (2) 139 (2008)
  43. Bolkhovityanov Yu B, Gutakovskii A K et al Semiconductors 42 (1) 1 (2008)
  44. Kukushkin S A, Osipov A V Kinet Catal 49 (1) 79 (2008)
  45. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al Semiconductors 40 (3) 319 (2006)
  46. Valakh M Ya, Dzhagan V M et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 253 (1-2) 27 (2006)
  47. Yugay K N, Muravjev A V et al Low Temperature Physics 32 (1) 55 (2006)
  48. Vartanian V, Zollner S et al IEEE Trans. Semicond. Manufact. 19 (4) 381 (2006)
  49. Klin O, Klipstein P C et al Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 24 (3) 1607 (2006)
  50. Vdovin V I, Mil’vidskii M G, Yugova T G Crystallogr. Rep. 50 (5) 849 (2005)
  51. Pchelyakov O P, Dvurechenskii A V et al Phys. Solid State 47 (1) 63 (2005)
  52. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al Journal of Crystal Growth 280 (1-2) 309 (2005)
  53. Yugova T G, Mil’vidskii M G, Vdovin V I Phys. Solid State 46 (8) 1520 (2004)
  54. Yugay K N, Muravjev A B et al J Supercond 17 (6) 755 (2004)
  55. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al Journal of Applied Physics 96 (12) 7665 (2004)
  56. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al Thin Solid Films 466 (1-2) 69 (2004)
  57. Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P et al Semiconductors 37 (5) 493 (2003)
  58. Novikov P L, Bolkhovityanov Yu B et al Semicond. Sci. Technol. 18 (1) 39 (2003)
  59. Carmody M, Le e D et al Journal of Elec Materi 32 (7) 710 (2003)
  60. Kukushkin S A, Osipov A V et al Semiconductors 36 (10) 1097 (2002)
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение