RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

Июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

, ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Гетероструктуры GexSi1-x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе GexSi1-x/Si, в частности, обсуждается использование «податливых» и «мягких» подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

Текст pdf (813 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879
PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/
000173467700001
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879

Список литературы (140) Статьи, ссылающиеся на эту (56) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Kaganer V M J Appl Crystallogr 57 276 (2024)
  2. Zhang Y, Zhou Ch et al 133 (7) (2023)
  3. Tuktamyshev A, Vichi S et al Journal of Crystal Growth 600 126906 (2022)
  4. Tuktamyshev A, Vichi S et al SSRN Journal (2022)
  5. Genath H, Norberg Je et al Thin Solid Films 763 139561 (2022)
  6. Trushin O S, Rudenko K V, Lukichev V F International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, (2022) p. 1
  7. Dolbak A E, Zhachuk R A J. Exp. Theor. Phys. 133 44 (2021)
  8. Shugurov A R, Panin A V Tech. Phys. 65 1881 (2020)
  9. Sreseli O M, Bert N A et al Semiconductors 54 181 (2020)
  10. Kovalskiy V A, Eremenko V G et al Applied Surface Science 479 930 (2019)
  11. Magomedov M N Phys. Solid State 61 2145 (2019)
  12. Candussio S, Budkin G V et al Phys. Rev. Materials 3 (5) (2019)
  13. Schulze A, Strakos L et al Nanoscale 10 7058 (2018)
  14. Plyusnin N I Tech. Phys. Lett. 44 980 (2018)
  15. Tregulov V V, Litvinov V G, Ermachikhin A V Semiconductors 52 891 (2018)
  16. Plusnin N I, Maslov A M Tech. Phys. Lett. 44 187 (2018)
  17. Bukharaev A A, Zvezdin A K et al Успехи физических наук 188 1288 (2018)
  18. Kaganer V, Ulyanenkova T et al 122 (10) (2017)
  19. Artemyuk V A, Karbivska L I et al Usp. Fiz. Met. 18 235 (2017)
  20. Sharabani Ya, Shafir I et al IEEE Electron Device Lett. 37 1041 (2016)
  21. Trushin O, Maras E et al Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 24 035007 (2016)
  22. Maras E, Trushin O et al Computer Physics Communications 205 13 (2016)
  23. Kolotovkina D A, Gutakovskii A K, Bakarov A K Nanotechnol Russia 11 12 (2016)
  24. Muslimov A E, Butashin A V et al Crystallogr. Rep. 61 63 (2016)
  25. Drozdov Yu N, Drozdov M N et al Semiconductors 49 19 (2015)
  26. Vengrenovich R D, Ivanskii B V et al Semiconductors 48 783 (2014)
  27. Benediktovitch A, Feranchuk I, Ulyanenkov A Springer Series in Materials Science Vol. Theoretical Concepts of X-Ray Nanoscale AnalysisX-Ray Diffraction from Crystals with Defects183 Chapter 6 (2014) p. 217
  28. Vasiliev A L, Roddatis V V et al Nanotechnol Russia 8 317 (2013)
  29. Shanygin V Ya, Yafarov R K Tech. Phys. 57 1115 (2012)
  30. Kukushkin S A, Osipov A V KEM 528 145 (2012)
  31. Kopp V S, Kaganer V M et al Phys. Rev. B 85 (24) (2012)
  32. Kaganer V M, Sabelfeld K K Physica Status Solidi (a) 208 2563 (2011)
  33. Trukhanov E M J. Synch. Investig. 4 36 (2010)
  34. Leonhardt D, Sheng J et al Thin Solid Films 518 5920 (2010)
  35. Zinov’ev V A Optoelectron.Instrument.Proc. 45 332 (2009)
  36. Psakhie S G, Rudenskiĭ G E et al Tech. Phys. Lett. 35 217 (2009)
  37. Kukushkin S A, Osipov A V Kinet Catal 49 79 (2008)
  38. Bolkhovityanov Yu B, Gutakovskii A K et al Semiconductors 42 1 (2008)
  39. Khizhnyi V I 34 63 (2008)
  40. Шкляев А А, Ичикава М Uspekhi Fizicheskikh Nauk 178 139 (2008)
  41. Vartanian V, Zollner S et al IEEE Trans. Semicond. Manufact. 19 381 (2006)
  42. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al Semiconductors 40 319 (2006)
  43. Valakh M Ya, Dzhagan V M et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 253 27 (2006)
  44. Klin O, Klipstein P C et al 24 1607 (2006)
  45. Yugay K N, Muravjev A V et al 32 55 (2006)
  46. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al Journal of Crystal Growth 280 309 (2005)
  47. Pchelyakov O P Phys. Solid State 47 63 (2005)
  48. Vdovin V I, Mil’vidskii M G, Yugova T G Crystallogr. Rep. 50 849 (2005)
  49. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al 96 7665 (2004)
  50. Bolkhovityanov Yu B, Deryabin A S et al Thin Solid Films 466 69 (2004)
  51. Yugova T G, Mil’vidskii M G, Vdovin V I Phys. Solid State 46 1520 (2004)
  52. Yugay K N, Muravjev A B et al J Supercond 17 755 (2004)
  53. Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P et al Semiconductors 37 493 (2003)
  54. Novikov P L, Bolkhovityanov Yu B et al Semicond. Sci. Technol. 18 39 (2003)
  55. Carmody M, Lee D et al Journal of Elec Materi 32 710 (2003)
  56. Kukushkin S A, Osipov A V et al Semiconductors 36 1097 (2002)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение