RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

Июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

, ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Гетероструктуры GexSi1-x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе GexSi1-x/Si, в частности, обсуждается использование «податливых» и «мягких» подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

Текст pdf (813 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879
PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/
000173467700001
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879

Список литературы (140) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (57) Похожие статьи (20)

  1. Kvam E P, Maher D M, Humphreys C J J. Mater. Res. 5 1900 (1990)
  2. Frank F C, Van der Merwe J H Proc. Roy. Soc. London A 198 205 (1949)
  3. Matthews J W J. Vac. Sci. Technol. 12 126 (1975)
  4. Gillard V T, Nix W D, Freund L B J. Appl. Phys. 76 7280 (1994)
  5. Matthews J W, Blakeslee A E J. Cryst. Growth 27 118 (1974)
  6. Fitzgerald E A Mater. Sci. Rep. 7 87 (1991)
  7. Fisher A Appl. Phys. Lett. 64 1218 (1994)
  8. Гутаковский А К, Пчеляков О П, Стенин С И Кристаллография 25 806 (1980)
  9. Green M L et al. J. Appl. Phys. 69 745 (1991)
  10. Houghton D C et al. Appl. Phys. Lett. 56 460 (1990)
  11. Houghton D C et al. J. Appl. Phys. 67 1850 (1990)
  12. People R, Bean J C Appl. Phys. Lett. 47 322 (1985)
  13. Bolkhovityanov Yu B et al. Thin Solid Films (2001), in press
  14. Bai G et al. J. Appl. Phys. 75 4475 (1994)
  15. Hirth J P, Lothe J Theory of Dislocations 2nd ed. (New York: Wiley, 1982)
  16. Hull R, Bean J C, Buescher C J. Appl. Phys. 66 S837 (1989)
  17. Hull R et al. Appl. Phys. Lett. 65 327 (1994)
  18. Stach E A et al. J. Appl. Phys. 83 1931 (1998)
  19. Hull R et al. Phys. Stat. Solidi A 171 133 (1999)
  20. Houghton D C J. Appl. Phys. 70 2136 (1991)
  21. Perovic D D, Houghton D C Inst. Phys. Conf. Ser. (146) 117 (1995)
  22. Alexander H, Haasen P Solid State Phys. 22 27 (1968)
  23. Farber B Ya, Iunin Yu L, Nikitenko V I Phys. Stat. Solidi A 97 469 (1986)
  24. Иунин Ю Л и др. ЖЭТФ 100 1951 (1991)
  25. Iunin Yu L, Nikitenko V I Phys. Stat. Solidi A 171 17 (1999)
  26. Yonenaga I Phys. Stat. Solidi A 171 41 (1999)
  27. Perovic D D et al. Thin Solid Films 183 141 (1989)
  28. Wickenhauser S et al. Appl. Phys. Lett. 70 324 (1997)
  29. Stach E A et al. Microsc. Microanal. 4 294 (1998)
  30. Jain S C et al. J. Appl. Phys. 87 965 (2000)
  31. Matthews J W, Blakeslee A E, Mader S Thin Solid Films 33 253 (1976)
  32. Kamat S V, Hirth J P J. Appl. Phys. 67 6844 (1990)
  33. Eaglesham D J et al. Phil. Mag. A 59 1059 (1989)
  34. Hull R, Bean J C J. Vac. Sci. Technol. A 7 2580 (1989)
  35. Mooney P M et al. J. Appl. Phys. 75 3968 (1994)
  36. Beanland R J. Appl. Phys. 77 6217 (1995)
  37. Vdovin V I Phys. Stat. Solidi A 171 239 (1999)
  38. Jain S C, Willander M, Maes H Semicond. Sci. Technol. 11 641 (1996)
  39. Tersoff J, LeGoues F K Phys. Rev. Lett. 72 3570 (1994)
  40. Shchukin V A, Bimberg D Appl. Phys. A 67 687 (1998)
  41. Ozkan C S, Nix W D, Gao H Appl. Phys. Lett. 70 2247 (1997)
  42. Cullis A G, Pidduck A J, Emeny M T J. Cryst. Growth 158 15 (1996)
  43. Hu S M J. Appl. Phys. 69 7901 (1991)
  44. Matthews J W, Mader S, Light T B J. Appl. Phys. 41 3800 (1970)
  45. Dodson B W, Tsao J Y Appl. Phys. Lett. 51 1325 (1987); Dodson B W, Tsao J Y Appl. Phys. Lett. 52 852 (1988)
  46. Fox B A, Jesser W A J. Appl. Phys. 68 2801 (1990)
  47. Jesser W A, Fox B A J. Electron. Mater. 19 1289 (1990)
  48. Hull R, Bean J C Appl. Phys. Lett. 54 925 (1989)
  49. Gillard V T, Nix W D, Freund L B J. Appl. Phys. 76 7280 (1994)
  50. Freund L B J. Appl. Phys. 68 2073 (1990)
  51. Fitzgerald E A et al. Phys. Stat. Solidi A 171 227 (1999)
  52. Fisher A et al. Phys. Rev. B 54 8761 (1996)
  53. Hagen W, Strunk H Appl. Phys. 17 85 (1978)
  54. Rajan K, Denhoff M J. Appl. Phys. 62 1710 (1987)
  55. Вдовин В И, частное сообщение
  56. Beanland R J. Appl. Phys. 72 4031 (1992)
  57. LeGoues F K, Meyerson B S, Morar J F Phys. Rev. Lett. 66 2903 (1991)
  58. LeGoues F K Phys. Rev. Lett. 72 876 (1994)
  59. Capano M A Phys. Rev. B 45 11768 (1992)
  60. Tuppen C G, Gibbings C J, Hockly M J. Cryst. Growth 94 392 (1989)
  61. Houghton D C et al. J. Appl. Phys. 67 1850 (1990)
  62. Liu J L et al. Appl. Phys. Lett. 75 1586 (1999)
  63. Vdovin V I J. Cryst. Growth 172 58 (1997)
  64. Gosling T J J. Appl. Phys. 74 5415 (1993)
  65. Dentel D et al. J. Cryst. Growth 191 697 (1998)
  66. Gosling T J et al. J. Appl. Phys. 73 8267 (1993)
  67. Houghton D C, Davies M, Dion M Appl. Phys. Lett. 64 505 (1994)
  68. Тхорик Ю А, Хазан Л С Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев: Наукова думка, 1983) с. 135
  69. Freund L B, Nix W D Appl. Phys. Lett. 69 173 (1996)
  70. Zhang T Y, Su Y J Appl. Phys. Lett. 74 1689 (1999)
  71. Lo Y H Appl. Phys. Lett. 59 2311 (1991)
  72. Powell A R, LeGoues F K, Iyer S S Appl. Phys. Lett. 64 324 (1994)
  73. Brunner K et al. Thin Solid Films 321 245 (1998)
  74. Antypas G A, Edgecumbe J Appl. Phys. Lett. 26 371 (1975)
  75. Lau W S et al. Jpn. J. Appl. Phys. 36 3770 (1997)
  76. Carter-Coman C et al. Appl. Phys. Lett. 70 1754 (1997)
  77. Ejeckam F E et al. Appl. Phys. Lett. 71 776 (1997)
  78. Kästner G, Gösele U, Tan T Y Appl. Phys. A 66 13 (1998)
  79. Jesser W A, van der Merwe J H, Stoop P M J. Appl. Phys. 85 2129 (1999)
  80. Bellet D Properties of Porous Silicon (Ed. L Carnham) (London: INSPEC, 1997) p. 127
  81. Romanov S I et al. Appl. Phys. Lett. 75 4118 (1999)
  82. Asaro R J, Tiller W A Metall. Trans. 3 1789 (1972)
  83. Гринфельд М А ДАН СССР 290 1358 (1986)
  84. Berger P R et al. Appl. Phys. Lett. 53 684 (1988)
  85. Srolovitz D J Acta metall. 37 621 (1989)
  86. Eaglesham D J, Cerullo M Phys. Rev. Lett. 64 1943 (1990)
  87. Guha S, Madhukar A, Rajkumar K C Appl. Phys. Lett. 57 2110 (1990)
  88. Mo Y W et al. Phys. Rev. Lett. 65 1020 (1990)
  89. Snyder C W et al. Phys. Rev. Lett. 66 3032 (1991)
  90. Cullis A G et al. J. Cryst. Growth 123 333 (1992)
  91. Ratsch C, Zangwill A Surface Sci. 293 123 (1993)
  92. Spencer B J, Voorhees P W, Davis S H J. Appl. Phys. 73 4955 (1993)
  93. Freund L B, Jonsdottir F J. Mech. Phys. Solids 41 1245 (1993)
  94. Johnson H T, Freund L B J. Appl. Phys. 81 6081 (1997)
  95. Obayashi Y, Shintani K J. Appl. Phys. 84 3142 (1998)
  96. Müller P, Kern R J. Cryst. Growth 193 257 (1998)
  97. Kern R, Müller P Surface Sci. 392 103 (1997)
  98. Moll N, Scheffler M, Pehlke E Phys. Rev. B 58 4566 (1998); Pehlke E et al. Appl. Phys. A 65 525 (1997)
  99. Kamins T I et al. J. Appl. Phys. 85 1159 (1999)
  100. Floro J A et al. Phys. Rev. B 59 1990 (1999)
  101. Ozkan C S, Nix W D, Gao H Appl. Phys. Lett. 70 2247 (1997)
  102. Dentel D et al. J. Cryst. Growth 191 697 (1998)
  103. Lafontaine H et al. J. Vac. Sci. Tech. B 16 599 (1998)
  104. Jesson D E et al. Phys. Rev. Lett. 71 1744 (1993)
  105. Dorsch W et al. Appl. Phys. Lett. 72 179 (1998)
  106. Cullis A G, Pidduck A J, Emeny M T Phys. Rev. Lett. 75 2368 (1995)
  107. Cullis A G, Pidduck A J, Emeny M T J. Cryst. Growth 158 15 (1996)
  108. Peiro F et al. Appl. Phys. Lett. 74 3818 (1999)
  109. Gao H et al. Phil. Mag. A 79 349 (1999)
  110. Gallas B et al. J. Cryst. Growth 201-202 547 (1999)
  111. Olsen G H J. Cryst. Growth 31 223 (1975)
  112. Lutz M A et al. Appl. Phys. Lett. 66 724 (1995)
  113. Samavedam S B, Fitzgerald E A J. Appl. Phys. 81 108 (1997)
  114. Dargys A, Kundrotas J Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius: Science and Encyclopedia Publ., 1994)
  115. Liu L, Lee C S, Marshak A H Solid State Electron. 37 421 (1994)
  116. Whall T E, Parker E H C Thin Solid Films 367 250 (2000)
  117. König V, Glück M, Höck G J. Vac. Sci. Technol. B 16 2609 (1998)
  118. Ahlgren D C, Jagannathan B Solid State Technol. 43 53 (2000)
  119. Abrahams M S et al. J. Mater. Sci. 4 223 (1969)
  120. Burd J W Trans. Metall. Soc. AIME 245 571 (1969)
  121. Schäffler F Semicond. Sci. Technol. 12 1515 (1997); Schäffler F Thin Solid Films 321 1 (1998)
  122. Paul D J Thin Solid Films 321 172 (1998)
  123. Fitzgerald E A et al. Appl. Phys. Lett. 59 811 (1991)
  124. Schäffler F et al. Semicond. Sci. Technol. 7 260 (1992)
  125. Fitzgerald E A et al. J. Vac. Sci. Technol. A 15 1048 (1997)
  126. Currie M T et al. Appl. Phys. Lett. 72 1718 (1998)
  127. Samavedam S B et al. Appl. Phys. Lett. 73 2125 (1998)
  128. Iwano H et al. Thin Solid Films 317 17 (1998)
  129. König U Phys. Scripta 68 90 (1996)
  130. Valtueńa J F et al. J. Cryst. Growth 182 281 (1997)
  131. Sieg R M et al. Appl. Phys. Lett. 73 3111 (1998)
  132. Fitzgerald E A et al. J. Appl. Phys. 65 2220 (1989)
  133. Noble D B et al. Appl. Phys. Lett. 56 51 (1990)
  134. Hammond R et al. Appl. Phys. Lett. 71 2517 (1997)
  135. Rupp T et al. Thin Solid Films 294 27 (1997)
  136. Fischer R et al. J. Appl. Phys. 60 1640 (1986)
  137. Samonji K et al. Appl. Phys. Lett. 69 100 (1996)
  138. Obata T et al. J. Appl. Phys. 81 199 (1997)
  139. Osten H J, Bugiel E Appl. Phys. Lett. 70 2813 (1997)
  140. Pchelyakov O P et al. Thin Solid Films 367 75 (2000); Пчеляков О П ФТП 34 1281 (2000)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение