 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 11, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Указатель PACS
85.30.−z Semiconductor devices
-
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 803–848 (2019)
81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z () -
У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения» УФН 180 1348–1349 (2010)
01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz () -
Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью» УФН 180 1357–1362 (2010)
01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz () -
Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» УФН 180 587–603 (2010)
71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z () -
И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» УФН 176 1321–1339 (2006)
72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw () -
Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов» УФН 176 983 (2006)
01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z () -
И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» УФН 175 735–744 (2005)
84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk () -
О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» УФН 170 993–995 (2000)
07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z () -
В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» УФН 165 591–594 (1995)
85.30.−z, 72.80.−r, 01.10.Fv () -
Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера» УФН 162 (4) 143–152 (1992)
85.30.−z, 84.32.Ff () -
В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)» УФН 160 (3) 152–155 (1990)
01.60.+q, 85.30.−z () -
Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур» УФН 159 188–189 (1989)
01.30.Vv, 85.30.−z () -
Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича» УФН 154 335–336 (1988)
01.60.+q, 01.10.Cr, 01.10.Fv, 85.30.−z, 68.43.Mn, 82.65.+r () -
О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» УФН 151 732–733 (1987)
01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi () -
А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)» УФН 144 687–688 (1984)
01.60.+q, 85.30.−z () -
А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения» УФН 113 129–155 (1974)
73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji () -
М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники» УФН 109 764–765 (1973)
85.40.−e, 85.30.−z () -
К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» УФН 109 765–768 (1973)
85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq () -
Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» УФН 108 598–600 (1972)
73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw ()
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |