Указатель PACS

73.40.Kp III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions 73.40.Lq Other semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions 85.30.−z Semiconductor devices 85.40.−e Microelectronics: LSI, VLSI, ULSI; integrated circuit fabrication technology
  1. А.Н. Алёшин «Органическая оптоэлектроника на основе композитных (полимер—неорганические наночастицы) материалов» 183 657–664 (2013)
    72.80.Le, 72.80.Tm, 73.40.Lq, 73.61.Le, 73.61.Ph (все)
  2. Н.Н. Леденцов, Дж.А. Лотт «Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры» 181 884–890 (2011)
    42.62.−b, 42.82.−m, 85.40.−e (все)
  3. У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения» 180 1348–1349 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  4. Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью» 180 1357–1362 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  5. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
    71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все)
  6. А.И. Воробьева «Электродные системы к углеродным нанотрубкам и методы их изготовления» 179 243–253 (2009)
    73.63.Fg, 85.35.Kt, 85.40.−e (все)
  7. И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» 176 1321–1339 (2006)
    72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  8. Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов» 176 983 (2006)
    01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z (все)
  9. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» 175 735–744 (2005)
    84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
  10. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
    61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
  11. О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» 170 993–995 (2000)
    07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z (все)
  12. Э.В. Девятов, А.А. Шашкин и др. «Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле» 170 327–331 (2000)
    72.20.My, 73.40.Kp (все)
  13. В.А. Волков, Э.Е. Тахтамиров «Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и метод эффективной массы для полупроводниковых гетероструктур» 167 1123–1128 (1997)
    71.25.Cx, 73.20.Dx, 73.40.Kp
  14. Б.А. Волков, Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов «Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах» 165 799–810 (1995)
    73.20.Dx, 73.40.Lq, 71.28.+d (все)
  15. В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» 165 591–594 (1995)
    85.30.−z, 72.80.−r, 01.10.Fv (все)
  16. Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера» 162 (4) 143–152 (1992)
    85.30.−z, 84.32.Ff (все)
  17. В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
    01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
  18. В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)» 160 (3) 152–155 (1990)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  19. Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур» 159 188–189 (1989)
    01.30.Vv, 85.30.−z (все)
  20. А.П. Силин «Сильные магнитные поля в физике полупроводников» 155 736–737 (1988)
    01.30.Vv, 72.20.Ht, 73.43.−f, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 72.20.My (все)
  21. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» 155 219–264 (1988)
    73.20.At, 73.40.Qv, 73.40.Kp, 71.70.Di, 73.40.Cg, 72.20.Jv (все)
  22. Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича» 154 335–336 (1988)
    01.60.+q, 01.10.Cr, 01.10.Fv, 85.30.−z, 68.43.Mn, 82.65.+r (все)
  23. О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» 151 732–733 (1987)
    01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi (все)
  24. А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)» 144 687–688 (1984)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  25. А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения» 113 129–155 (1974)
    73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji (все)
  26. М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники» 109 764–765 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z (все)
  27. К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» 109 765–768 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq (все)
  28. Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
    73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  29. В.И. Фистуль, Н.З. Шварц «Туннельные диоды» 77 109–160 (1962)
    85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
  30. А.М. Кугушев «Радиоэлектроника» 67 663–703 (1959)
    84.40.Ua, 41.20.Jb, 85.40.−e, 84.40.Xb (все)
  31. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы», принята к публикации
    68.65.Pq, 68.65.Cd, 73.21.Fg, 73.40.Gk, 73.50.−h, 85.30.Tv, 85.40.−e, 85.60.−q, 85.65.+h (все)
© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение