Выпуски

 / 

2006

 / 

Декабрь

  

Методические заметки


Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах


Государственное унитарное предприятие «НПО ’Орион» Государственный научный центр Российской Федерации (ГНЦ РФ ФГУП НПО Орион), шоссе Энтузиастов 46/2, Москва, 111123, Российская Федерация

Приведен краткий обзор литературы, посвященной теории фотоиндуцированных и тепловых шумов в полупроводниковых p-n переходах. Рассчитаны координатные и частотные зависимости фотоиндуцированных шумов в p+-n переходе при локальном облучении его n-области. В отличие от вакуумных электронных ламп, в которых физические источники шумов токораспределения не раскрыты, в p+-n переходах шумы токораспределения вызываются флуктуациями локальных темпов рекомбинации и диффузии дырок в n-области. Белые спектры тепловых и фотоиндуцированных шумов на высоких частотах возникают при линейном возрастании концентрации дырок в направлении от области пространственного заряда и обусловлены взаимной компенсацией частотных зависимостей диффузионных шумовых токов и эффективной длины собирания шумов из n-области.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200612e.1321
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/12/e/
Цитата: Таубкин И И "Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах" УФН 176 1321–1339 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Taubkin I I “Photoinduced and thermal noise in semiconductor p-n junctionsPhys. Usp. 49 1289–1306 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n12ABEH006134

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение