 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 4, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Указатель PACS
81.05.ue Graphene
81.10.−h Methods of crystal growth; physics and chemistry of crystal growth, crystal morphology, and orientation
85.30.−z Semiconductor devices
-
К.В. Ларионов, П.Б. Сорокин «Исследование плёнок моноатомной толщины: современное состояние» 191 30–51 (2021)
61.46.−w, 68.90.+g, 81.05.ue () -
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 803–848 (2019)
81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z () -
В.П. Филоненко, И.П. Зибров и др. «Сверхтвёрдые композиты на основе алмаза: новые подходы в синтезе и перспективы применения» 189 217–222 (2019)
81.10.−h, 89.20.Bb () -
Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» 187 577–598 (2017)
33.15.Pw, 33.50.Dq, 42.50.Ex, 61.46.−w, 61.71.U-, 63.20.kp, 63.20.Pw, 78.55.−m, 81.10.−h () -
И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света» 186 504–517 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» 186 518–523 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN» 186 524–536 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия» 185 1163–1178 (2015)
67.80.−s, 81.10.−h () -
М.Ю. Каган, В.А. Мицкан, М.М. Коровушкин «Аномальная сверхпроводимость и сверхтекучесть в фермионных системах с отталкиванием» 185 785–815 (2015)
67.85.−d, 74.20.−z, 74.20.Mn, 74.20.Rp, 74.25.Dw, 74.78.Fk, 81.05.ue () -
Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» 185 143–159 (2015)
68.55.A−, 81.05.ug, 81.10.−h, 82.33.Ya () -
И.В. Антонова «Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках» 183 1115–1122 (2013)
68.65.Pq, 81.05.ue, 81.15.Gh, 81.16.Be () -
Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» 183 673–718 (2013)
36.40.−c, 42.62.Fi, 61.46.−w, 81.05.ue, 81.07.−b, 81.16.−c, 81.16.Nd () -
П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский «Полупроводниковые наноструктуры на основе графена» 183 113–132 (2013)
73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue () -
Л.А. Фальковский «Магнитооптика графеновых слоёв» 182 1223–1228 (2012)
68.65.Pq, 78.67.Wj, 81.05.ue () -
А.А. Варламов, А.В. Кавокин и др. «Аномальные термоэлектрические и термомагнитные свойства графена» 182 1229–1234 (2012)
65.80.Ck, 72.15.Jf, 72.20.Pa, 72.80.Vp, 81.05.ue () -
С.В. Морозов «Новые эффекты в графене с высокой подвижностью носителей» 182 437–442 (2012)
72.80.Vp, 73.20.−r, 81.05.ue () -
У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения» 180 1348–1349 (2010)
01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz () -
Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью» 180 1357–1362 (2010)
01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz () -
Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z () -
А.И. Воробьева «Аппаратура и методы исследования углеродных нанотрубок» 180 265–288 (2010)
61.48.De, 73.63.−b, 81.05.ue () -
А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» 178 243–266 (2008)
44.05.+e, 81.10.−h, 87.15.Aa, 87.54.Br () -
И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» 176 1321–1339 (2006)
72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw () -
Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов» 176 983 (2006)
01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z () -
И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» 175 735–744 (2005)
84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk () -
Н.А. Бенделиани «Гидротермальное выращивание стишовита (SiO2)» 172 485–486 (2002)
81.10.−h -
О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» 170 993–995 (2000)
07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z () -
В.А. Бородин «Создание оборудования нового поколения для роста кристаллов из расплава. Развитие Экспериментального завода научного приборостроения РАН в новых экономических условиях» 170 999–1002 (2000)
07.90.+c, 81.10.−h, 81.10.Fq () -
В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» 165 591–594 (1995)
85.30.−z, 72.80.−r, 01.10.Fv () -
Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера» 162 (4) 143–152 (1992)
85.30.−z, 84.32.Ff () -
В.И. Александров, Т.Т. Басиев и др. «Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)» 162 (4) 165–167 (1992)
01.60.+q, 81.10.−h () -
Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
74.72.−h, 74.62.Bf, 81.10.−h, 74.25.Dw, 61.66.Fn () -
В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z () -
В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)» 160 (3) 152–155 (1990)
01.60.+q, 85.30.−z () -
Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур» 159 188–189 (1989)
01.30.Vv, 85.30.−z () -
Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича» 154 335–336 (1988)
01.60.+q, 01.10.Cr, 01.10.Fv, 85.30.−z, 68.43.Mn, 82.65.+r () -
О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» 151 732–733 (1987)
01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi () -
А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)» 144 687–688 (1984)
01.60.+q, 85.30.−z () -
А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения» 113 129–155 (1974)
73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji () -
М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники» 109 764–765 (1973)
85.40.−e, 85.30.−z () -
К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» 109 765–768 (1973)
85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq () -
Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw ()
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |