Выпуски

 / 

2010

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью

,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью — Al2O3, HfO2 и TiO2.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201006b.0587
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/6/b/
Цитата: Перевалов Т В, Гриценко В А "Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью" УФН 180 587–603 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Perevalov T V, Gritsenko V A “Application and electronic structure of high-permittivity dielectricsPhys. Usp. 53 561–575 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201006b.0587

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение