Указатель PACS

71.15.Mb Density functional theory, local density approximation, gradient and other corrections 77.55.D− High-permittivity gate dielectric films 85.30.−z Semiconductor devices
  1. А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 803–848 (2019)
    81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
  2. Р.А. Андриевский «Тугоплавкие соединения: новые подходы и результаты» 187 296–310 (2017)
    61.46.−w, 61.66.Fn, 71.15.−m, 71.15.Mb (все)
  3. Р.С. Берри, Б.М. Смирнов «Моделирование конфигурационных переходов в атомных системах» 183 1029–1057 (2013)
    36.40.−c, 36.40.Ei, 64.70.D−, 71.15.Mb, 81.16.Hc, 82.30.−b (все)
  4. Г.В. Шпатаковская «Квазиклассическая модель строения вещества» 182 457–494 (2012)
    31.15.bt, 36.40.Cg, 52.25.Kn, 64.10.+h, 71.10.−w, 71.15.Mb (все)
  5. В.А. Гриценко «Электронная структура нитрида кремния» 182 531–541 (2012)
    71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все)
  6. У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения» 180 1348–1349 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  7. Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью» 180 1357–1362 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  8. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
    71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все)
  9. Е.Г. Максимов, А.Е. Каракозов «О неадиабатических эффектах в фононных спектрах металлов» 178 561–576 (2008)
    71.15.Mb, 74.20.−z, 74.72.−h (все)
  10. Е.Г. Максимов, О.В. Долгов «О возможных механизмах высокотемпературной сверхпроводимости» 177 983–988 (2007)
    71.10.Ay, 71.15.Mb, 74.20.−z, 74.72.−h (все)
  11. И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» 176 1321–1339 (2006)
    72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  12. Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов» 176 983 (2006)
    01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z (все)
  13. Е.Г. Максимов, М.В. Магницкая, В.Е. Фортов «Непростое поведение простых металлов при высоких давлениях» 175 793–813 (2005)
    61.50.Ah, 62.50.+p, 61.66.−f, 71.15.Mb (все)
  14. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» 175 735–744 (2005)
    84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
  15. Е.Г. Максимов, В.И. Зиненко, Н.Г. Замкова «Расчеты физических свойств ионных кристаллов из первых принципов» 174 1145–1170 (2004)
    61.50.Ah, 63.20.Dj, 71.15.Mb (все)
  16. О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» 170 993–995 (2000)
    07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z (все)
  17. В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» 165 591–594 (1995)
    85.30.−z, 72.80.−r, 01.10.Fv (все)
  18. Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера» 162 (4) 143–152 (1992)
    85.30.−z, 84.32.Ff (все)
  19. В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)» 160 (3) 152–155 (1990)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  20. Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур» 159 188–189 (1989)
    01.30.Vv, 85.30.−z (все)
  21. Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича» 154 335–336 (1988)
    01.60.+q, 01.10.Cr, 01.10.Fv, 85.30.−z, 68.43.Mn, 82.65.+r (все)
  22. О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» 151 732–733 (1987)
    01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi (все)
  23. А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)» 144 687–688 (1984)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  24. Е.Г. Максимов «Использование ЭВМ в физике конденсированного состояния» 143 324–325 (1984)
    71.15.Dx, 71.15.Mb, 71.20.−b, 71.45.Gm, 72.15.Qm (все)
  25. А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения» 113 129–155 (1974)
    73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji (все)
  26. М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники» 109 764–765 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z (все)
  27. К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» 109 765–768 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq (все)
  28. Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
    73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  29. А.И. Воропинов, Г.М. Гандельман, В.Г. Подвальный «Электронные энергетические спектры и уравнение состояния твердых тел при высоких давлениях и температурах» 100 193–224 (1970)
    71.20.Be, 64.30.+t, 62.50.+p, 71.20.Dg, 71.15.Mb (все)
  30. Н.Н. Боголюбов «О принципе компенсации и методе самосогласованного поля» 67 549–580 (1959)
    71.15.Mb, 74.20.−z, 74.25.Kc, 71.45.Gm, 71.15.Ap (все)
© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение