Указатель PACS

73.40.Kp III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions 85.30.−z Semiconductor devices 85.60.Dw Photodiodes; phototransistors; photoresistors
  1. А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 803–848 (2019)
    81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
  2. И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света» 186 504–517 (2016)
    42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
  3. Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» 186 518–523 (2016)
    42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
  4. Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN» 186 524–536 (2016)
    42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
  5. А.Г. Витухновский «Органическая фотоника: успехи и разочарования» 183 653–657 (2013)
    42.70.Jk, 85.60.Dw, 85.60.Pg (все)
  6. У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения» 180 1348–1349 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  7. Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью» 180 1357–1362 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  8. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
    71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все)
  9. И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» 176 1321–1339 (2006)
    72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  10. Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов» 176 983 (2006)
    01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z (все)
  11. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» 175 735–744 (2005)
    84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
  12. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
    61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
  13. О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» 170 993–995 (2000)
    07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z (все)
  14. Э.В. Девятов, А.А. Шашкин и др. «Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле» 170 327–331 (2000)
    72.20.My, 73.40.Kp (все)
  15. В.А. Волков, Э.Е. Тахтамиров «Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и метод эффективной массы для полупроводниковых гетероструктур» 167 1123–1128 (1997)
    71.25.Cx, 73.20.Dx, 73.40.Kp
  16. В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» 165 591–594 (1995)
    85.30.−z, 72.80.−r, 01.10.Fv (все)
  17. Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера» 162 (4) 143–152 (1992)
    85.30.−z, 84.32.Ff (все)
  18. В.В. Майер, Р.В. Майер «Демонстрация акустического эффекта Допплера» 161 (3) 149–153 (1991)
    43.28.Py, 43.38.Kb, 43.66.Lj, 85.60.Jb, 85.60.Dw (все)
  19. В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)» 160 (3) 152–155 (1990)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  20. Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур» 159 188–189 (1989)
    01.30.Vv, 85.30.−z (все)
  21. А.П. Силин «Сильные магнитные поля в физике полупроводников» 155 736–737 (1988)
    01.30.Vv, 72.20.Ht, 73.43.−f, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 72.20.My (все)
  22. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» 155 219–264 (1988)
    73.20.At, 73.40.Qv, 73.40.Kp, 71.70.Di, 73.40.Cg, 72.20.Jv (все)
  23. Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича» 154 335–336 (1988)
    01.60.+q, 01.10.Cr, 01.10.Fv, 85.30.−z, 68.43.Mn, 82.65.+r (все)
  24. О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» 151 732–733 (1987)
    01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi (все)
  25. А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)» 144 687–688 (1984)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  26. А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения» 113 129–155 (1974)
    73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji (все)
  27. М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники» 109 764–765 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z (все)
  28. К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» 109 765–768 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq (все)
  29. Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
    73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  30. В.И. Фистуль, Н.З. Шварц «Туннельные диоды» 77 109–160 (1962)
    85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение