Выпуски

 / 

2006

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов


Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Физический факультет, Воробьевы горы, Москва, 119992, Российская Федерация

12 апреля 2006 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук. На сессии были заслушаны доклады:
1. Хохлов Д.Р. (Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова). Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов.
2. Митин А.В. (Казанский государственный технологический университет). Модуляционная гамма-резонансная спектроскопия.
3. Курочкин В.Е. (Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург). Методы и приборы иммунного экспресс-анализа. Новый подход к решению проблемы.
4. Лукин В.П. (Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск). Адаптивное формирование оптических изображений в атсмосфере.
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200609g.0983
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/g/
Цитата: Хохлов Д Р "Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов" УФН 176 983 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Khokhlov D R “High-sensitivity terahertz radiation detectors based on a new class of semiconductor materialsPhys. Usp. 49 955–959 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006094

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение