85.60.−q Optoelectronic devices
-
П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» УФН 188 1249–1287 (2018)
68.65.Cd, 68.65.Pq, 73.21.Fg, 73.40.Gk, 73.50.−h, 85.30.Tv, 85.40.−e, 85.60.−q, 85.65.+h (все)
-
М.Я. Щелев «Пико-фемто-аттосекундная фотоэлектроника (взгляд через полувековую "лупу времени’)» УФН 182 649–656 (2012)
06.60.Jn, 07.07.Hj, 85.60.−q (все)
-
А.Г. Витухновский «Прогресс в области источников света и дисплеев» УФН 181 1341–1344 (2011)
01.65.+g, 78.55.−m, 85.60.−q (все)
-
З.Ф. Красильник, А.В. Новиков «Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy» УФН 170 338–341 (2000)
79.60.Jv, 85.30.Vw, 85.60.−q (все)
-
О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» УФН 151 732–733 (1987)
01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi (все)
-
Л.Н. Курбатов «Фотоэлектрические полупроводниковые приемники и новые методы приема излучения оптического диапазона» УФН 108 601–603 (1972)
85.60.−q, 84.40.Ua, 42.79.Sz (все)
-
А.И. Карташев, И.Ш. Эцин «Методы измерения малых изменений разности фаз в интерференционных устройствах» УФН 106 687–721 (1972)
07.60.Ly, 06.30.Bp, 85.60.−q (все)
|