Указатель PACS

85.30.−z Semiconductor devices 85.40.−e Microelectronics: LSI, VLSI, ULSI; integrated circuit fabrication technology
  1. А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 803–848 (2019)
    81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
  2. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» 188 1249–1287 (2018)
    68.65.Cd, 68.65.Pq, 73.21.Fg, 73.40.Gk, 73.50.−h, 85.30.Tv, 85.40.−e, 85.60.−q, 85.65.+h (все)
  3. Н.Н. Леденцов, Дж.А. Лотт «Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры» 181 884–890 (2011)
    42.62.−b, 42.82.−m, 85.40.−e (все)
  4. У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения» 180 1348–1349 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  5. Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью» 180 1357–1362 (2010)
    01.30.Bb, 85.30.−z, 85.60.Gz (все)
  6. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
    71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все)
  7. А.И. Воробьева «Электродные системы к углеродным нанотрубкам и методы их изготовления» 179 243–253 (2009)
    73.63.Fg, 85.35.Kt, 85.40.−e (все)
  8. И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» 176 1321–1339 (2006)
    72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  9. Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов» 176 983 (2006)
    01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z (все)
  10. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» 175 735–744 (2005)
    84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
  11. О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» 170 993–995 (2000)
    07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z (все)
  12. В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире» 165 591–594 (1995)
    85.30.−z, 72.80.−r, 01.10.Fv (все)
  13. Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера» 162 (4) 143–152 (1992)
    85.30.−z, 84.32.Ff (все)
  14. В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
    01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
  15. В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)» 160 (3) 152–155 (1990)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  16. Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур» 159 188–189 (1989)
    01.30.Vv, 85.30.−z (все)
  17. Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича» 154 335–336 (1988)
    01.60.+q, 01.10.Cr, 01.10.Fv, 85.30.−z, 68.43.Mn, 82.65.+r (все)
  18. О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» 151 732–733 (1987)
    01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi (все)
  19. А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)» 144 687–688 (1984)
    01.60.+q, 85.30.−z (все)
  20. А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения» 113 129–155 (1974)
    73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji (все)
  21. М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники» 109 764–765 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z (все)
  22. К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» 109 765–768 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq (все)
  23. Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
    73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  24. А.М. Кугушев «Радиоэлектроника» 67 663–703 (1959)
    84.40.Ua, 41.20.Jb, 85.40.−e, 84.40.Xb (все)
© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение