Выпуски

 / 

1976

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников

Содержание: Введение. Структура энергетических зон бесщелевых полупроводников. Экспериментальные данные, подтверждающие инверсную зонную структуру бесщелевых полупроводников. Энергетический спектр вблизи центра зоны Бриллюэна на основе гамильтониана Латтинджера. Особенности бесщелевых полупроводников. Примесные состояния в бесщелевых полупроводниках. Статистика носителей заряда в бесщелевых полупроводниках. Заключение. Цитированная литература

Текст pdf (1,7 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348
PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0120.197611a.0337
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/
Цитата: Гельмонт Б Л, Иванов-Омский В И, Цидильковский И М "Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников" УФН 120 337–362 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gel’mont B L, Ivanov-Omskii V I, Tsidil’kovskii I M “The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductorsSov. Phys. Usp. 19 879–893 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348

Статьи, ссылающиеся на эту (35) Похожие статьи (20) ↓

  1. Н.Н. Берченко, М.В. Пашковский «Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной» УФН 119 223–255 (1976)
  2. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» УФН 146 35–72 (1985)
  3. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» УФН 118 611–639 (1976)
  4. Э.И. Рашба «Комбинированный резонанс в полупроводниках» УФН 84 557–578 (1964)
  5. Р.В. Парфеньев, Г.И. Харус и др. «Магнитофононный резонанс в полупроводниках» УФН 112 3–36 (1974)
  6. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  7. Г.Л. Беленький, В.Б. Стопачинский «Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6» УФН 140 233–270 (1983)
  8. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  9. В.Д. Кулаковский, Г.Е. Пикус, В.Б. Тимофеев «Многоэкситонные комплексы в полупроводниках» УФН 135 237–284 (1981)
  10. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» УФН 152 583–622 (1987)
  11. А.В. Дерягин «Редкоземельные магнитожесткие материалы» УФН 120 393–437 (1976)
  12. А.Л. Эфрос «Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках» УФН 111 451–482 (1973)
  13. А.А. Овчинников, И.И. Украинский, Г.Ф. Квенцель «Теория одномерных моттовских полупроводников и электронная структура длинных молекул с сопряженными связями» УФН 108 81–111 (1972)
  14. Е.Ф. Шека «Электронно-колебательные спектры молекул и кристаллов» УФН 104 593–643 (1971)
  15. Г.С. Буберман «Зонная структура алмазов» УФН 103 675–704 (1971)
  16. И.Д. Морохов, В.И. Петинов и др. «Структура и свойства малых металлических частиц» УФН 133 653–692 (1981)
  17. А.П. Леванюк, В.В. Осипов «Краевая люминесценция прямозонных полупроводников» УФН 133 427–477 (1981)
  18. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» УФН 147 523–558 (1985)
  19. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  20. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение