Выпуски

 / 

1976

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников

Содержание: Введение. Структура энергетических зон бесщелевых полупроводников. Экспериментальные данные, подтверждающие инверсную зонную структуру бесщелевых полупроводников. Энергетический спектр вблизи центра зоны Бриллюэна на основе гамильтониана Латтинджера. Особенности бесщелевых полупроводников. Примесные состояния в бесщелевых полупроводниках. Статистика носителей заряда в бесщелевых полупроводниках. Заключение. Цитированная литература

Текст pdf (1,7 Мб)
PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0120.197611a.0337
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/
Цитата: Гельмонт Б Л, Иванов-Омский В И, Цидильковский И М "Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников" УФН 120 337–362 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gel’mont B L, Ivanov-Omskii V I, Tsidil’kovskii I M “The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductorsSov. Phys. Usp. 19 879–893 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348

Статьи, ссылающиеся на эту (34) Похожие статьи (20) ↓

  1. Н.Н. Берченко, М.В. Пашковский «Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной» 119 223–255 (1976)
  2. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» 146 35–72 (1985)
  3. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» 118 611–639 (1976)
  4. Э.И. Рашба «Комбинированный резонанс в полупроводниках» 84 557–578 (1964)
  5. Р.В. Парфеньев, Г.И. Харус и др. «Магнитофононный резонанс в полупроводниках» 112 3–36 (1974)
  6. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» 162 (2) 63–105 (1992)
  7. Г.Л. Беленький, В.Б. Стопачинский «Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6» 140 233–270 (1983)
  8. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» 184 1033–1044 (2014)
  9. В.Д. Кулаковский, Г.Е. Пикус, В.Б. Тимофеев «Многоэкситонные комплексы в полупроводниках» 135 237–284 (1981)
  10. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» 152 583–622 (1987)
  11. А.В. Дерягин «Редкоземельные магнитожесткие материалы» 120 393–437 (1976)
  12. А.Л. Эфрос «Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках» 111 451–482 (1973)
  13. А.А. Овчинников, И.И. Украинский, Г.Ф. Квенцель «Теория одномерных моттовских полупроводников и электронная структура длинных молекул с сопряженными связями» 108 81–111 (1972)
  14. Г.С. Буберман «Зонная структура алмазов» 103 675–704 (1971)
  15. Е.Ф. Шека «Электронно-колебательные спектры молекул и кристаллов» 104 593–643 (1971)
  16. И.Д. Морохов, В.И. Петинов и др. «Структура и свойства малых металлических частиц» 133 653–692 (1981)
  17. А.П. Леванюк, В.В. Осипов «Краевая люминесценция прямозонных полупроводников» 133 427–477 (1981)
  18. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» 147 523–558 (1985)
  19. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» 84 431–450 (1964)
  20. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» 168 817–842 (1998)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение