Выпуски

 / 

1985

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Узкощелевые полумагнитные полупроводники

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Энергетический спектр зонных носителей заряда
а) Энергетические зоны в отсутствие магнитного поля
б) Энергетический спектр зонных электронов в магнитном поле
3. Магнитные свойства
а) Параматнитная фаза
б) Фаза спинового стекла
в) Косвенное взаимодействие в бесщелевых кристаллах Hg1-xMnxTe
4. Магнитооптические свойства
а) Магнитооптические переходы в бесщелевых ПМП
б) Магнитооптические переходы в ПМП с конечной щелью
5. Кинетические свойства
а) Осцилляции Шубникова-де Гааза (ШГ)
б) g-фактор зонных электронов
в) Осцилляции ШГ в квантовом пределе
г) Оценка значений обменных интегралов
д) Особенности магнитосопротивления у бесщелевых кристаллов Hg1-xMnxTe
е) Аномалии удельного сопротивления у Hg1-xMnxTe при низких температурах
ж) Особенности магнитосопротивления узкощелевых кристаллов p-Hg1-xMnxTe
з) Температурные осцилляции магнитосопротивления
и) Пороговое рассеяние зонных электронов
6. Заключение
Список литературы

Текст pdf (2,6 Мб)
PACS: 71.20.Nr, 75.50.Pp, 75.30.Kz, 75.60.Ej, 78.20.Ls, 72.20.My (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0146.198505c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/5/c/
Цитата: Ляпилин И И, Цидильковский И М "Узкощелевые полумагнитные полупроводники" УФН 146 35–72 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Lyapilin I I, Tsidil’kovskii I M “Narrow-gap semimagnetic semiconductorsSov. Phys. Usp. 28 349–371 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n05ABEH003799

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение