RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1976

 / 

Ноябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников

, ,

Содержание: Введение. Структура энергетических зон бесщелевых полупроводников. Экспериментальные данные, подтверждающие инверсную зонную структуру бесщелевых полупроводников. Энергетический спектр вблизи центра зоны Бриллюэна на основе гамильтониана Латтинджера. Особенности бесщелевых полупроводников. Примесные состояния в бесщелевых полупроводниках. Статистика носителей заряда в бесщелевых полупроводниках. Заключение. Цитированная литература

Текст pdf (1,7 Мб)
PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0120.197611a.0337
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/
Цитата: Гельмонт Б Л, Иванов-Омский В И, Цидильковский И М "Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников" УФН 120 337–362 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gel’mont B L, Ivanov-Omskii V I, Tsidil’kovskii I M “The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductors” Sov. Phys. Usp. 19 879–893 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348

Статьи, ссылающиеся на эту (34) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Mauri A, Polini M Phys. Rev. B 100 (16) (2019)
  2. Greshnov A A, Vasil’ev Yu B et al Jetp Lett. 97 102 (2013)
  3. Enderlein C, Ramos Sch M et al 114 (14) (2013)
  4. De Grandi C, Polkovnikov A Lecture Notes in Physics Vol. Quantum Quenching, Annealing and ComputationAdiabatic Perturbation Theory: From Landau–Zener Problem to Quenching Through a Quantum Critical Point802 Chapter 4 (2010) p. 75
  5. Kar’kin A E, Shchennikov V V et al Semiconductors 37 1278 (2003)
  6. Shchennikov V V, Kar’kin A E et al Phys. Solid State 42 215 (2000)
  7. Kosyachenko L A Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 2 31 (1999)
  8. Prozorovskii V D, Reshidova I Yu 25 772 (1999)
  9. Linnik T L, Sheka V I Phys. Solid State 41 1425 (1999)
  10. Tsidilkovski I M Springer Series in Solid-State Sciences Vol. Electron Spectrum of Gapless SemiconductorsConclusion116 Chapter 6 (1997) p. 231
  11. Gelmont B L, Ivanov-Omskii V I, Tsidilkovski E I Semicond. Sci. Technol. 5 S281 (1990)
  12. Dmitriev A V Semicond. Sci. Technol. 5 1 (1990)
  13. Nath T, Roy S et al 68 3723 (1990)
  14. Kosarev V V, Popov V V et al Phys. Stat. Sol. (a) 107 K43 (1988)
  15. Ktitorov S A, Petrov Yu V Semicond. Sci. Technol. 3 18 (1988)
  16. Dziuba Z Physica Status Solidi (b) 140 213 (1987)
  17. Tsidilkovski I M, Harus G I, Shelushinina N G Advances in Physics 34 43 (1985)
  18. Brandt N B, Moshchalkov V V Advances in Physics 33 193 (1984)
  19. Ivanov‐Omskii V I, Sh M A et al Physica Status Solidi (b) 119 159 (1983)
  20. Jay-Gerin J -P, Arushanov É K, Aubin M J Solid State Communications 46 537 (1983)
  21. Aronzon B A, Kopylov A V et al Solid State Communications 42 779 (1982)
  22. Chakravarti A N, Ghatak K P et al Physica Status Solidi (b) 112 75 (1982)
  23. Mekhtiev M A Solid State Communications 42 591 (1982)
  24. Calas J, Fau C et al phys. stat. sol. (a) 69 751 (1982)
  25. Allegre J, Calas J, Fau C Infrared Physics 22 65 (1982)
  26. Gortel Z W, Szymański J, Świerkowski L Physica Status Solidi (b) 103 429 (1981)
  27. Dubowski J J, Dietl T et al Journal of Physics and Chemistry of Solids 42 351 (1981)
  28. Gelmont B L Lecture Notes in Physics Vol. Narrow Gap Semiconductors Physics and ApplicationsHot electrons in narrow gap semiconductors133 Chapter 22 (1980) p. 371
  29. Szlenk K, Dziuba Z, Galazka R R Physica Status Solidi (b) 91 255 (1979)
  30. Das A K, Joos B, Wallace P R J. Phys. A: Math. Gen. 12 893 (1979)
  31. Beneslavskii S D, Ziep O Physica Status Solidi (b) 88 221 (1978)
  32. Joós B, Das A K, Wallace P R Phys. Rev. B 18 5693 (1978)
  33. Gelmont B L, Ivanov‐Omskii V I, Ukraintsev E N Physica Status Solidi (b) 87 381 (1978)
  34. Golubev V G, Georgitse E I, Ivanov‐Omskii V I Physica Status Solidi (b) 85 (1) (1978)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение