Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников

Содержание: Введение. Структура энергетических зон бесщелевых полупроводников. Экспериментальные данные, подтверждающие инверсную зонную структуру бесщелевых полупроводников. Энергетический спектр вблизи центра зоны Бриллюэна на основе гамильтониана Латтинджера. Особенности бесщелевых полупроводников. Примесные состояния в бесщелевых полупроводниках. Статистика носителей заряда в бесщелевых полупроводниках. Заключение. Цитированная литература

Текст pdf (1,7 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0120.197611a.0337
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/
Цитата: Гельмонт Б Л, Иванов-Омский В И, Цидильковский И М "Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников" УФН 120 337–362 (1976)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников
%A Б. Л. Гельмонт
%A В. И. Иванов-Омский
%A И. М. Цидильковский
%I Успехи физических наук
%D 1976
%J Усп. физ. наук
%V 120
%N 11
%P 337-362
%U https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0120.197611a.0337

English citation: Gel’mont B L, Ivanov-Omskii V I, Tsidil’kovskii I M “The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductors” Sov. Phys. Usp. 19 879–893 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348