Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений
Рассмотрен новый тип безызлучательных переходов в неметаллических твердых телах,
сопровождаемых не выделением тепла, а большими (по сравнению с межатомными расстояниями) смещениями отдельных атомов. Дана классификация таких нестабильностей
в кристаллах и стеклах (электростатических, электронно-колебательных, структурных),
ведущих к рождению дефектов. Описаны процессы дефектообразования как в ионных
кристаллах при распаде автолокализующихся экситонов, так и в полупроводниках при
многократной ионизации атомов вблизи исходно существующих заряженных центров
примесей. Обсуждены механизмы перестройки сложных дефектов в полупроводниках
при введении неравновесных носителей тока и при рекомбинации электронов и дырок. Рассмотрена роль носителей тока при тепловом создании дефектов. Обсужден механизм
образования своеобразных дефектов в стеклообразных полупроводниках. Ил. 19. Библиогр. ссылок 212 (216 назв.).
|