Выпуски

 / 

1985

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений

Рассмотрен новый тип безызлучательных переходов в неметаллических твердых телах, сопровождаемых не выделением тепла, а большими (по сравнению с межатомными расстояниями) смещениями отдельных атомов. Дана классификация таких нестабильностей в кристаллах и стеклах (электростатических, электронно-колебательных, структурных), ведущих к рождению дефектов. Описаны процессы дефектообразования как в ионных кристаллах при распаде автолокализующихся экситонов, так и в полупроводниках при многократной ионизации атомов вблизи исходно существующих заряженных центров примесей. Обсуждены механизмы перестройки сложных дефектов в полупроводниках при введении неравновесных носителей тока и при рекомбинации электронов и дырок. Рассмотрена роль носителей тока при тепловом создании дефектов. Обсужден механизм образования своеобразных дефектов в стеклообразных полупроводниках. Ил. 19. Библиогр. ссылок 212 (216 назв.).

Текст: pdf (2,7 Мб)
PACS: 61.72.Cc, 71.35.Aa, 61.43.Dq, 61.82.Fk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0147.198511d.0523
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/11/d/
Цитата: Клингер М И, Лущик Ч Б, Машовец Т В, Холодарь Г А, Шейнкман М К, Эланго М А "Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений" УФН 147 523–558 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Klinger M I, Lushchik Ch B, Mashovets T V, Kholodar’ G A, Sheinkman M K, Élango M A “Defect formation in solids by decay of electronic excitationsSov. Phys. Usp. 28 994–1014 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n11ABEH003977

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение