Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца

Л.И. Рябова^а, Д.Р. Хохлов^б, в
^аМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
^бМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^вФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В обзоре рассмотрены необычные фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Показано, что за появление этих эффектов в ряде случаев ответственны нетривиальные локальные электронные состояния, "привязанные", в отличие от обычных примесных состояний, не к определённому месту в энергетическом спектре полупроводника, а к положению квазиуровня Ферми, которое может варьироваться при изменении степени фотовозбуждения.

Текст pdf (993 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0184.201410b.1033

PACS: 72.40.+w, 73.20.Hb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2014/10/b/
Web of Science

000346960100004
Scopus

2-s2.0-84920033649
ADS NASA

2014PhyU...57..959R
Цитата: Рябова Л И, Хохлов Д Р "Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца" УФН 184 1033–1044 (2014)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 15 января 2014, доработана: 8 февраля 2014, одобрена в печать: 11 февраля 2014

English citation: Ryabova L I, Khokhlov D R “Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductors” Phys. Usp. 57 959–969 (2014); DOI: 10.3367/UFNe.0184.201410b.1033