Выпуски

 / 

1973

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках

Электронные свойства сильно легированных полупроводников (СЛП) существенно отличаются от свойств чистых полупроводников, которым посвящено большое количество монографий и учебников. Серьезное изучение СЛП началось около десяти лет назад. В статье изложены современные представления о плотности состояний в СЛП. Подробно обсуждается квазиклассический метод, его результаты и область применимости. Показано, что этот метод не применим для описания глубоко лежащих флуктуационных уровней. Далее излагается развитый в последние годы метод оптимальной флуктуации, позволяющий находить показатель экспоненты плотности состояний глубоко в запрещенной зоне. С помощью этого метода плотность состояний проанализирована при различных соотношениях между параметрами полупроводника и при всех значениях энергии, при которых применим метод эффективной массы. Указано различие между спектрами основных и неосновных носителей. Рассмотрено влияние на плотность состояний корреляции в распределении примесей. Изучение структуры флуктуационных уровней позволяет построить теорию коэффициента межзонного поглощения света (КМПС) па частотах ниже пороговой. Показано, что частотная зависимость КМПС не всегда воспроизводит зависимость плотности состояний от энергии. Анализ экспериментальных данных указывает на важную роль неосновных примесей в формировании «хвоста» КМПС. Таблица 1, иллюстраций 11, библиографических ссылок 41.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.20.Nr, 78.20.Ci, 71.18.+y (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0111.197311c.0451
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1973/11/c/
Цитата: Эфрос А Л "Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках" УФН 111 451–482 (1973)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Efros A L “Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductorsSov. Phys. Usp. 16 789–805 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v016n06ABEH004090

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение