Выпуски

 / 

1983

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Кристаллическое строение слоистых полупроводников группы А3В6
3. Фононные спектры слоистых полупроводников типа А3В6
4. Влияние анизотропии кристаллической решетки на экситонные состояния в слоистых кристаллах
5. Анизотропия экситонов в селениде галлия
6. Распределение плотности электронного заряда в слоистых полупроводниках группы А3В6
7. Заключение
Цитированная литература

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.25.Tn
DOI: 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/
Цитата: Беленький Г Л, Стопачинский В Б "Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6" УФН 140 233–270 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Belen’kii G L, Stopachinskii V B “Electronic and vibrational spectra of III-VI layered semiconductorsSov. Phys. Usp. 26 497–517 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение