СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Кристаллическое строение слоистых полупроводников группы А3В6
3. Фононные спектры слоистых полупроводников типа А3В6
4. Влияние анизотропии кристаллической решетки на экситонные состояния в слоистых кристаллах 5. Анизотропия экситонов в селениде галлия 6. Распределение плотности электронного заряда в слоистых полупроводниках группы А3В6
7. Заключение Цитированная литература
PACS: 71.25.Tn DOI:10.3367/UFNr.0140.198306b.0233 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/ Цитата: Беленький Г Л, Стопачинский В Б "Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6" УФН140 233–270 (1983)