СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Кристаллическое строение слоистых полупроводников группы А³В⁶
3. Фононные спектры слоистых полупроводников типа А³В⁶
4. Влияние анизотропии кристаллической решетки на экситонные состояния в слоистых кристаллах
5. Анизотропия экситонов в селениде галлия
6. Распределение плотности электронного заряда в слоистых полупроводниках группы А³В⁶
7. Заключение
Цитированная литература

PACS: 71.25.Tn
DOI: 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/
Цитата: Беленький Г Л, Стопачинский В Б "Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А³В⁶" УФН 140 233–270 (1983)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Belen’kii G L, Stopachinskii V B “Electronic and vibrational spectra of III-VI layered semiconductors” Sov. Phys. Usp. 26 497–517 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420

Выпуски

/

1983

/

Июнь

← →

Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6

Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А³В⁶