Выпуски

 / 

1981

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Многоэкситонные комплексы в полупроводниках

 а, ,  а
а Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Содержание: Введение. Оболочечная модель связанных многоэкситонных комплексов. Спектры излучения МЭПК в Si. Тонкая структура уровней ЭПК в Ge. Правила отбора для переходов в МЭПК в Si и Ge. Влияние упругих одноосных формаций на спектры излучения МЭПК. Влияние магнитного поля на спектры МЭПК. Электронно-дырочный и электронно-электронный обмен и тонкая структура уровней МЭПК в Si. Заключение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.55.Fr, 71.35.+z
DOI: 10.3367/UFNr.0135.198110d.0237
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/10/d/
Цитата: Кулаковский В Д, Пикус Г Е, Тимофеев В Б "Многоэкситонные комплексы в полупроводниках" УФН 135 237–284 (1981)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kulakovskii V D, Pikus G E, Timofeev V B “Multiexciton complexes in semiconductorsSov. Phys. Usp. 24 815–840 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n10ABEH004805

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение