Выпуски

 / 

1992

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния

Описываются аномалии электронных свойств бесщелевых полупроводников, легированных переходными элементами (железо, хром), образующими глубокие резонансные донорные состояния, т.е. состояния, вырожденные с континуумом зоны проводимости. Излагается анализ многочисленных исследований, который показывает, что своеобразие свойств обсуждаемых материалов, в частности, такая яркая аномалия, как рост подвижности электронов при увеличении концентрации легирующей примеси, обусловлено коррелированным распределением заряженных доноров в кристалле, являющимся следствием кулоновского взаимодействия между донорами. Исследования резонансных состояний в полупроводниках является новым направлением в физике твердого тела, представляющим одновременно и практический интерес, поскольку позволяет, например, получать материалы с максимальными подвижностями электронов. Табл. 2. Ил. 23. Библиогр. ссылок 32

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.55.Gs, 75.30.Hx, 72.20.Fr, 72.80.Jc (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199202b.0063
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/2/b/
Цитата: Цидильковский И М "Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния" УФН 162 (2) 63–105 (1992)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tsidil’kovskii I M “Zero-gap semiconductors with magnetic impurities forming resonance donor statesSov. Phys. Usp. 35 (2) 85–105 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n02ABEH002215

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение