RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2004

 / 

Апрель

←  →

Обзоры актуальных проблем


Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов

 а,  б,  б,  б,  б
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Анализируются современное состояние работ и новые тенденции в получении полупроводников III-нитридов и изучении их поверхностных свойств. C использованием уникальной установки, включающей сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ), в условиях сверхвысокого вакуума in situ исследованы атомные структуры на поверхности пленок GaN как с гексагональной, так и с кубической симметрией, выращенных методами МВЕ в присутствии азотной плазмы в широком диапазоне температур и отношений концентраций [N]/[Ga]. Из анализа СТМ-изображений с атомным разрешением и сопоставления их с результатами первопринципных расчетов полной энергии разработаны модели наблюдавшихся поверхностных фаз.

Текст pdf (1,5 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2004v047n04ABEH001643
PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200404d.0383
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/4/d/
000223560800004
2004PhyU...47..371B
Цитата: Бахтизин Р З, Щуе Ч-Ж, Щуе Ч-К, Ву К-Х, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов" УФН 174 383–405 (2004)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Xue Q-Zh, Xue Q-K, Wu K-H, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth” Phys. Usp. 47 371–391 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n04ABEH001643

Список литературы (98) Статьи, ссылающиеся на эту (10) Похожие статьи (20) ↓

  1. О.М. Браун, В.К. Медведев «Взаимодействие между частицами, адсорбированными на поверхности металлов» 157 631–666 (1989)
  2. В.Ю. Аристов «Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства» 171 801–826 (2001)
  3. С.А. Князев, Г.К. Зырянов, И.А. Пчелкин «Спиновая поляризация низкоэнергетических электронов при их взаимодействии с поверхностью твердых тел» 146 73–104 (1985)
  4. А.А. Чернышов, К.В. Карельский, А.С. Петросян «Подсеточное моделирование для исследования сжимаемой магнитогидродинамической турбулентности космической плазмы» 184 457–492 (2014)
  5. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» 178 459–480 (2008)
  6. А.Б. Шварцбург «Дисперсия электромагнитных волн в слоистых и нестационарных средах (точно решаемые модели)» 170 1297–1324 (2000)
  7. Н.Н. Колачевский «Лабораторные методы поиска дрейфа постоянной тонкой структуры» 174 1171–1190 (2004)
  8. М.О. Катанаев «Геометрическая теория дефектов» 175 705–733 (2005)
  9. А.Л. Фрадков «О применении кибернетических методов в физике» 175 113–138 (2005)
  10. И.С. Осадько «Флуктуирующая флуоресценция одиночных молекул и полупроводниковых нанокристаллов» 176 23–57 (2006)
  11. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
  12. А.П. Жернов, А.В. Инюшкин «Влияние композиции изотопов на фононные моды. Статические атомные смещения в кристаллах» 171 827–854 (2001)
  13. В.Е. Фортов, Д. Хоффманн, Б.Ю. Шарков «Интенсивные ионные пучки для генерации экстремальных состояний вещества» 178 113–138 (2008)
  14. В.Б. Молодкин, А.П. Шпак и др. «Многопараметрическая кристаллография на основе многообразности картины многократного рассеяния брэгговских и диффузных волн (метод стоячих диффузных волн)» 181 681–712 (2011)
  15. В.Д. Лахно «Анзац Пекара и проблема сильной связи в теории полярона» 185 317–331 (2015)
  16. Д.Д. Сукачёв «Протяжённые квантовые сети» 191 1077–1094 (2021)
  17. В.А. Вожаков, М.В. Бастракова и др. «Управление состояниями в сверхпроводниковых квантовых процессорах» 192 457–476 (2022)
  18. М.А. Семина, Р.А. Сурис «Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах» 192 121–142 (2022)
  19. М.В. Кузнецов, А.С. Разинкин, А.Л. Ивановский «Оксидные наноструктуры на поверхности ниобия и родственные системы: эксперименты и ab initio расчёты» 180 1035–1054 (2010)
  20. А.Б. Ройцин, В.М. Маевский «Электронный парамагнитный резонанс поверхности твердых тел» 159 297–333 (1989)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение