Выпуски

 / 

2004

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов

 а,  б,  б,  б,  б
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Анализируются современное состояние работ и новые тенденции в получении полупроводников III-нитридов и изучении их поверхностных свойств. C использованием уникальной установки, включающей сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ), в условиях сверхвысокого вакуума in situ исследованы атомные структуры на поверхности пленок GaN как с гексагональной, так и с кубической симметрией, выращенных методами МВЕ в присутствии азотной плазмы в широком диапазоне температур и отношений концентраций [N]/[Ga]. Из анализа СТМ-изображений с атомным разрешением и сопоставления их с результатами первопринципных расчетов полной энергии разработаны модели наблюдавшихся поверхностных фаз.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200404d.0383
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/4/d/
Цитата: Бахтизин Р З, Щуе Ч-Ж, Щуе Ч-К, Ву К-Х, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов" УФН 174 383–405 (2004)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов
AU Бахтизин, Р. З.
AU Щуе, Ч. -Ж.
AU Щуе, Ч. -К.
AU Ву, К. -Х.
AU Сакурай, Т.
PB Успехи физических наук
PY 2004
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 174
IS 4
SP 383-405
UR https://ufn.ru/ru/articles/2004/4/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200404d.0383

English citation: Bakhtizin R Z, Xue Q-Zh, Xue Q-K, Wu K-H, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growthPhys. Usp. 47 371–391 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n04ABEH001643

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение