Выпуски

 / 

2001

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Цель данного обзора — собрать воедино и показать современное состояние исследований, касающихся состава, атомной и электронной структуры, а также электронных свойств различных сверхструктур, обнаруженных недавно на чистой β-SiC(100) поверхности. В течение последних 10 лет наблюдался значительный прогресс в экспериментальных и теоретических исследованиях чистой поверхности β-SiC(100): были выявлены и изучены различные поверхностные реконструкции, обнаружено контролируемое формирование прямых, очень длинных и высокостабильных линий кремниевых димеров, самоорганизующихся на поверхности β-SiC(100). Расстояние между этими линиями определяется временем и температурой отжига. Однако многие детали (состав, модели элементарных ячеек и т.п.) все еще являются предметом обсуждений.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 68.35.Rh, 68.65.+g, 71.10.Pm, 73.61.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108a.0801
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/a/
Цитата: Аристов В Ю "Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства" УФН 171 801–826 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Aristov V Yu “β-SiC(100) surface: atomic structures and electronic propertiesPhys. Usp. 44 761–783 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000979

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение