Выпуски

 / 

2004

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов

 а,  б,  б,  б,  б
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Анализируются современное состояние работ и новые тенденции в получении полупроводников III-нитридов и изучении их поверхностных свойств. C использованием уникальной установки, включающей сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ), в условиях сверхвысокого вакуума in situ исследованы атомные структуры на поверхности пленок GaN как с гексагональной, так и с кубической симметрией, выращенных методами МВЕ в присутствии азотной плазмы в широком диапазоне температур и отношений концентраций [N]/[Ga]. Из анализа СТМ-изображений с атомным разрешением и сопоставления их с результатами первопринципных расчетов полной энергии разработаны модели наблюдавшихся поверхностных фаз.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200404d.0383
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/4/d/
Цитата: Бахтизин Р З, Щуе Ч-Ж, Щуе Ч-К, Ву К-Х, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов" УФН 174 383–405 (2004)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Xue Q-Zh, Xue Q-K, Wu K-H, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growthPhys. Usp. 47 371–391 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n04ABEH001643

Список литературы (98) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (9) Похожие статьи (20)

  1. Nakamura S, Fasol G The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Berlin: Springer, 1997)
  2. Orton J W, Foxon C T Rep. Prog. Phys. 61 1 (1998)
  3. Ambacher O J. Phys. D 31 2653 (1998)
  4. Pearton S J et al. J. Appl. Phys. 86 1 (1999)
  5. Szweda R Gallium Nitride & Related Wide Bandgap Materials & Devices: a Market and Technology Overview 1998 - 2003 2nd ed. (Oxford, UK: Elsevier Adv. Technol., 2000)
  6. Jain S C, Willander M, Van Overstraeten R Compound Semiconductors Strained Layers and Devices (Boston: Kluwer Acad. Publ., 2000)
  7. Kikkawa J M, Awschalom D D Science 287 473 (2000)
  8. Strite S, Morkoç H J. Vac. Sci. Technol. B 10 1237 (1992)
  9. Amano H et al. Jpn. J. Appl. Phys. 28 L2112 (1989)
  10. Nakamura S et al. Jpn. J. Appl. Phys. 31 1258 (1989)
  11. Nakamura S, Mukai T, Senoh M Appl. Phys. Lett. 64 1687 (1994)
  12. Nakamura S Science 281 956 (1998)
  13. Popovici G, Morkoç H, Mohammad S N in Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications (Ser. on Semiconductor Sci. and Technol., Vol. 6, Ed. B Gil) (Oxford: Clarendon Press, 1998) p. 16
  14. Feenstra R M, Northrup J E, Neugebauer J MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7 3 (2002)
  15. Hellman E S MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3 11 (1998)
  16. Qian G-X, Martin R M, Chadi D J Phys. Rev. B 38 7649 (1988)
  17. Massalski T B (Editor-in-Chief) Binary Alloy Phase Diagrams Vol. 2, 2nd ed. (Materials Park, Ohio: ASM Intern., 1990) p. 1824
  18. Held R et al. J. Appl. Phys. 85 7697 (1999)
  19. Masri P Surf. Sci. Rep. 48 1 (2002)
  20. Starke U Phys. Status Solidi B 202 475 (1997)
  21. Trampert A, Brandt O, Ploog K in Gallium Nitride (GaN) I (Semiconductors and Semimetals, Vol. 57, Eds J I Pankove, T D Moustakas) (New York: Academic Press, 1998)
  22. Okumura H et al. J. Cryst. Growth 178 113 (1997)
  23. Kurobe T et al. Appl. Phys. Lett. 73 2305 (1998)
  24. Lide D R (Ed.) Handbook of Chemistry and Physics (London: CRC Press, 1996) p. 76
  25. Neumayer D A, Ekerdt J G Chem. Mater. 8 9 (1996)
  26. Pavlovska A, Bauer E, Smith D J Surf. Sci. 496 160 (2002)
  27. Бахтизин Р З и др. УФН 197 1227 (1997); Bakhtizin R Z et al. Phys. Usp. 40 1175 (1997)
  28. Muehlhoff L et al. J. Appl. Phys. 60 2842 (1986)
  29. Kaplan R Surf. Sci. 215 111 (1989)
  30. Li L, Tsong I S T Surf. Sci. 351 141 (1996)
  31. Starke U et al. Appl. Surf. Sci. 89 175 (1995)
  32. Burk A A (Jr), Rowland L B J. Cryst. Growth 167 586 (1996)
  33. Owman F et al. J. Cryst. Growth 167 391 (1996)
  34. Xue Q et al. Appl. Phys. Lett. 74 2468 (1999)
  35. Бахтизин Р З и др. Поверхность (11) 4 (2000)
  36. Martensson P, Owman F, Johansson L I Phys. Status Solidi B 202 501 (1997)
  37. Heine V, Cheng C, Needs R J Am. Ceram. Soc. Bull. 74 2630 (1991)
  38. Ohtani N et al. Surf. Sci. 398 L303 (1998)
  39. Bernhardt J et al. Appl. Phys. Lett. 74 1084 (1999)
  40. Kimoto T, Itoh A, Matsunami H Appl. Phys. Lett. 66 3645 (1995)
  41. Bernhardt J et al. Mater. Sci. Eng. B 61-62 207 (1999)
  42. Starke U et al. Surf. Rev. Lett. 6 1129 (1999)
  43. Hoster H E, Kulakov M A, Bullemer B Surf. Sci. 382 L658 (1997)
  44. Bermudez V M, Koleske D, Wickenden A E Appl. Surf. Sci. 126 69 (1998)
  45. Ponce F A et al. Appl. Phys. Lett. 69 337 (1996)
  46. Smith A R et al. Phys. Rev. Lett. 79 3934 (1997)
  47. Smith A R et al. Appl. Phys. Lett. 72 2114 (1998)
  48. Smith A R et al. J. Vac. Sci. Technol. B 16 1641 (1998)
  49. Pashley M D Phys. Rev. B 40 10481 (1989)
  50. LaFemina J P Surf. Sci. Rep. 16 137 (1992)
  51. Rouviere J L et al. Appl. Phys. Lett. 73 668 (1998)
  52. Lin M E et al. Appl. Phys. Lett. 62 702 (1993)
  53. Hughes W C et al. J. Vac. Sci. Techn. B 13 1571 (1995)
  54. Hughes O H et al. J. Vac. Sci. Techn. B 16 2237 (1998)
  55. Iwata K et al. Jpn. J. Appl. Phys. 35 L289 (1996)
  56. Foxon C T et al. Surf. Sci. 421 377 (1999)
  57. Thamm A et al. Appl. Phys. Lett. 75 944 (1999)
  58. Di Felice R, Northrup J E, Neugebauer J Phys. Rev. B 54 17351 (1996)
  59. Fritsch J et al. Phys. Rev. B 57 15360 (1998)
  60. Northrup J E, Di Felice R, Neugebauer J Phys. Rev. B 55 13878 (1997)
  61. Rapcewicz K, Nardelli M B, Bernholc J Phys. Rev. B 56 R12725 (1997)
  62. Smith A R et al. Appl. Phys. A 66 S947 (1998)
  63. Smith A R et al. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3 12 (1998)
  64. Smith A R et al. Surf. Sci. 423 70 (1999)
  65. Xue Q-K et al. Phys. Rev. Lett. 82 3074 (1999)
  66. Stroscio J A, Kaiser W J (Eds) Scanning Tunneling Microscopy (Boston: Academic Press, 1993)
  67. Бахтизин Р З и др. Поверхность (11) 9 (2000)
  68. Vanderbilt D Phys. Rev. B 41 7892 (1990)
  69. Ramachandran V et al. J. Cryst. Growth 209 355 (2000)
  70. Ramachandran V et al. Appl. Phys. Lett. 75 808 (1999)
  71. Vézian S et al. Surf. Sci. 541 242 (2003)
  72. Peierls R E et al. Quantum Theory of Solids (Oxford: Clarendon Press, 1955) p. 108
  73. Neugebauer J et al. Phys. Rev. Lett. 80 3097 (1998)
  74. Grüner G Density Waves in Solids (Reading, Mass.: Addison-Wesley, 1994); Grüner G, Zettl A Phys. Rep. 119 117 (1985)
  75. Duke C B Appl. Surf. Sci. 65-66 543 (1993)
  76. Xue Q-Zh et al. Phys. Rev. B 59 12604 (1999)
  77. Bakhtizin R Z et al. Phys. Low-Dim. Struct. (3-4) 243 (2001)
  78. Smith A R et al. J. Vac. Sci. Technol. B 16 2242 (1998)
  79. Northrup J E et al. Phys. Rev. B 61 9932 (2000)
  80. Xie M H et al. Phys. Rev. Lett. 82 2749 (1999)
  81. Capaz R B, Lim H, Joannopoulos J D Phys. Rev. B 51 17755 (1995)
  82. Ponce F A, Van de Walle C G, Northrup J E Phys. Rev. B 53 7473 (1996)
  83. Visconti P et al. Phys. Status Solidi B 228 513 (2001)
  84. Zyweitz T, Neugebauer J, Scheffler M Appl. Phys. Lett. 73 487 (1998)
  85. Feuillet G et al. Appl. Phys. Lett. 70 1025 (1997)
  86. Tarsa E J et al. J. Appl. Phys. 82 5472 (1997)
  87. Бахтизин Р З и др. ЖЭТФ 111 1858 (1997)
  88. Daudin B et al. J. Appl. Phys. 84 2295 (1998)
  89. Schikora D et al. Phys. Rev. B 54 R8381 (1996)
  90. Brandt O et al. Phys. Rev. B 52 R2253 (1995)
  91. Okumura H et al. Appl. Phys. Lett. 72 3056 (1998)
  92. Heller E J, Zhang Z Y, Lagally M G Phys. Rev. Lett. 71 743 (1993)
  93. Trampert A et al. Appl. Phys. Lett. 70 583 (1997)
  94. Gwo S, Tokumoto H, Miwa S Appl. Phys. Lett. 71 362 (1997)
  95. Bykhovski A D, Shur M S Appl. Phys. Lett. 69 2397 (1996)
  96. Yang H et al. Appl. Surf. Sci. 104-105 461 (1996)
  97. Ploog K H et al. J. Vac. Sci. Technol. B 16 2229 (1998)
  98. Yeh C-Y et al. Phys. Rev. B 46 10086 (1992)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение