Ч.-К. Щуе



Institute for Materials Research, Tohoku University
Адрес: 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan


Статьи

  1. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе, Ч.-К. Щуе и др. «Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов» 174 383–405 (2004)
  2. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ч.-К. Щуе, Т. Сакурай «Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии» 167 1227–1241 (1997)

См. также: Т. Сакурай, Р.З. Бахтизин, К.-Х. Ву, Ч.-Ж. Щуе, Т. Хашицуме

PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea, 61.16.Di, 68.55.Bd,

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение