Выпуски

 / 

2004

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов

 а,  б,  б,  б,  б
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Анализируются современное состояние работ и новые тенденции в получении полупроводников III-нитридов и изучении их поверхностных свойств. C использованием уникальной установки, включающей сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ), в условиях сверхвысокого вакуума in situ исследованы атомные структуры на поверхности пленок GaN как с гексагональной, так и с кубической симметрией, выращенных методами МВЕ в присутствии азотной плазмы в широком диапазоне температур и отношений концентраций [N]/[Ga]. Из анализа СТМ-изображений с атомным разрешением и сопоставления их с результатами первопринципных расчетов полной энергии разработаны модели наблюдавшихся поверхностных фаз.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200404d.0383
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/4/d/
Цитата: Бахтизин Р З, Щуе Ч-Ж, Щуе Ч-К, Ву К-Х, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов" УФН 174 383–405 (2004)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Xue Q-Zh, Xue Q-K, Wu K-H, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growthPhys. Usp. 47 371–391 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n04ABEH001643

Список литературы (98) Статьи, ссылающиеся на эту (9) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Kukushkin S A, Mizerov A M et al Semiconductors 53 180 (2019)
  2. Bermudez V M Surface Science Reports 72 147 (2017)
  3. Benemanskaya G V, Timoshnev S N et al J. Exp. Theor. Phys. 118 600 (2014)
  4. Litinski A O, Novikov S I, Zharikov D N J. Synch. Investig. 7 1199 (2013)
  5. Avdeev O V, Chemekova T Yu et al Comprehensive Semiconductor Science and Technology (2011) p. 282
  6. Rogozin I V, Georgobiani A N Bull. Lebedev Phys. Inst. 34 114 (2007)
  7. Benemanskaya G V, Lapushkin M N, Timoshnev S N Phys. Solid State 49 646 (2007)
  8. Rogozin I V, Georgobiani A N Inorg Mater 42 1342 (2006)
  9. Benemanskaya G V, Frank-Kamentskaya G E et al J. Exp. Theor. Phys. 103 441 (2006)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение