RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2003

 / 

август

←  →

Обзоры актуальных проблем


Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

 а,  б
а Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
б НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст pdf (974 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
000187205200002
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted silicon” Phys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

Список литературы (330) Статьи, ссылающиеся на эту (31) Похожие статьи (20) ↓

  1. Ф.Ф. Комаров «Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий» УФН 173 1287–1318 (2003)
  2. А.Б. Ройцин, В.М. Маевский «Электронный парамагнитный резонанс поверхности твердых тел» УФН 159 297–333 (1989)
  3. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  4. В.С. Вавилов «Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы» УФН 167 407–412 (1997)
  5. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)
  6. Г.А. Малыгин «Процессы самоорганизации дислокаций и пластичность кристаллов» УФН 169 979–1010 (1999)
  7. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)
  8. А.А. Иванов, М.В. Алфимов, А.М. Желтиков «Фемтосекундные импульсы в нанофотонике» УФН 174 743–763 (2004)
  9. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» УФН 147 523–558 (1985)
  10. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» УФН 180 587–603 (2010)
  11. Ф.Ф. Комаров «Нано- и микроструктурирование твёрдых тел быстрыми тяжёлыми ионами» УФН 187 465–504 (2017)
  12. М.С. Ковалев, И.М. Подлесных и др. «Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами» УФН 196 601–614 (2026)
  13. В.А. Гриценко «Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния» УФН 178 727–737 (2008)
  14. Н.Г. Птицына, Дж. Виллорези и др. «Естественные и техногенные низкочастотные магнитные поля как факторы, потенциально опасные для здоровья» УФН 168 767–791 (1998)
  15. В.М. Свистунов, М.Б. Белоголовский, А.И. Хачатуров «Электрон-фононное взаимодействие в высокотемпературных сверхпроводниках» УФН 163 (2) 61–79 (1993)
  16. Ю.Б. Кудасов, А.С. Коршунов и др. «Фрустрированные решётки изинговских цепочек» УФН 182 1249–1273 (2012)
  17. М.Я. Амусья, В.К. Иванов «Межоболочечное взаимодействие в атомах» УФН 152 185–230 (1987)
  18. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» УФН 152 583–622 (1987)
  19. И.М. Соколов «Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания» УФН 150 221–255 (1986)
  20. Н.И. Фань «Поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках» УФН 64 315–360 (1958)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение