Выпуски

 / 

2003

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

 а,  б
а Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
б НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted siliconPhys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

Список литературы (330) Статьи, ссылающиеся на эту (18) Похожие статьи (20) ↓

  1. Ф.Ф. Комаров «Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий» 173 1287–1318 (2003)
  2. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» 170 143–155 (2000)
  3. Г.А. Малыгин «Процессы самоорганизации дислокаций и пластичность кристаллов» 169 979–1010 (1999)
  4. В.С. Вавилов «Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы» 167 407–412 (1997)
  5. Г.А. Малыгин «Прочность и пластичность нанокристаллических материалов и наноразмерных кристаллов» 181 1129–1156 (2011)
  6. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» 147 523–558 (1985)
  7. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» 142 219–264 (1984)
  8. И.М. Соколов «Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания» 150 221–255 (1986)
  9. А.И. Гусев «Превращение беспорядок-порядок и фазовые равновесия в сильно нестехиометрических соединениях» 170 3–40 (2000)
  10. Н.Г. Птицына, Дж. Виллорези и др. «Естественные и техногенные низкочастотные магнитные поля как факторы, потенциально опасные для здоровья» 168 767–791 (1998)
  11. Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» 187 577–598 (2017)
  12. А.А. Иванов, М.В. Алфимов, А.М. Желтиков «Фемтосекундные импульсы в нанофотонике» 174 743–763 (2004)
  13. А.И. Гусев, С.З. Назарова «Магнитная восприимчивость нестехиометрических соединений переходных d-металлов» 175 681–704 (2005)
  14. М.Л. Тер-Микаелян «Радиационные электромагнитные процессы при высоких энергиях в периодических средах» 171 597–624 (2001)
  15. В.А. Коварский «Квантовые процессы в биологических молекулах. Ферментативный катализ» 169 889–908 (1999)
  16. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» 178 459–480 (2008)
  17. А.Д. Погребняк, А.П. Шпак и др. «Структура и свойства твёрдых и сверхтвёрдых нанокомпозитных покрытий» 179 35–64 (2009)
  18. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
  19. Ю.Б. Кудасов, А.С. Коршунов и др. «Фрустрированные решётки изинговских цепочек» 182 1249–1273 (2012)
  20. А.И. Гусев «Нестехиометрия и сверхструктуры» 184 905–945 (2014)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение