RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2003

 / 

Август

←  →

Обзоры актуальных проблем


Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

 а,  б
а Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
б НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст pdf (974 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
000187205200002
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted silicon” Phys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

Список литературы (330) Статьи, ссылающиеся на эту (26) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Kovalchuk N S, Marudo Yu A et al High Temp Mat Proc 26 59 (2022)
  2. ODZAEV V, PRASALOVICH U et al HERALD OF POLOTSK STATE UNIVERSITY. Series С FUNDAMENTAL SCIENCES 39 65 (2022)
  3. Odzaev V B, Pyatlitski A N et al Vescì Akademìì navuk Belarusì. Seryâ fizika-matematyčnyh navuk 57 232 (2021)
  4. Nikolskaya A, Korolev D et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 472 32 (2020)
  5. Bogatov N, Grigoryan L et al J. Phys.: Conf. Ser. 1679 032077 (2020)
  6. Borisov A M, Kazakov V A et al J. Synch. Investig. 13 306 (2019)
  7. Herega A The Selected Models of the Mesostructure of Composites SpringerBriefs in Physics Chapter 3 (2018) p. 17
  8. Khuchua N, Tigishvili M et al Ion Beam Applications Chapter 7 (2018)
  9. Agafonov Y A, Bogatov N M et al J. Synch. Investig. 12 499 (2018)
  10. Odzhaev V B, Panfilenko A K et al Vescì Akademìì navuk Belarusì. Seryâ fizika-tehničnyh navuk 63 244 (2018)
  11. Makarenko L F, Lastovskii S B et al 123 (16) (2018)
  12. Tigishvili M, Khuchua N et al Phys. Status Solidi C 14 (7) (2017)
  13. Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Modern Electronic Materials 2 48 (2016)
  14. Bazarov V V, Nuzhdin V I et al J Appl Spectrosc 83 47 (2016)
  15. Khuchua N, Tigishvili M et al SSP 242 374 (2015)
  16. Litovchenko V G, Melnik V P, Romanjuk B M Ukr. J. Phys. 60 64 (2015)
  17. Rudakov V I, Ovcharov V V et al Russ Microelectron 43 284 (2014)
  18. Michel Ju, Koester S et al Series in Optics and Optoelectronics Vol. Handbook of Silicon PhotonicsPhotodetectors20130577 (2013) p. 479
  19. Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Acta Phys. Pol. A 123 926 (2013)
  20. Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Microelectronics Reliability 50 813 (2010)
  21. Ovcharov V V, Rudakov V I J. Synch. Investig. 3 639 (2009)
  22. Olikh O Ya Semiconductors 43 745 (2009)
  23. Poklonski N A, Gorbachuk N I et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 266 5007 (2008)
  24. Extended Defects in Semiconductors 1 5 (2007) p. 412
  25. Dolgolenko A P Semicond. phys. quantum electron. optoelectron. 10 4 (2007)
  26. Olikhovsky S J, Belova M M, Kochelab Y V Usp. Fiz. Met. 7 135 (2006)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение