Выпуски

 / 

2003

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

 а,  б
а Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
б НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Chelyadinskii:2003,
	author = {А. Р. Челядинский and Ф. Ф. Комаров},
	title = {Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2003},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {173},
	number = {8},
	pages = {813-846},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/},
	doi = {10.3367/UFNr.0173.200308b.0813}
}

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted siliconPhys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение