RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2003

 / 

Август

←  →

Обзоры актуальных проблем


Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

 а,  б
а Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
б НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст pdf (974 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
000187205200002
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted silicon” Phys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

Список литературы (330) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (26) Похожие статьи (20)

  1. Mozer A P Solid State Phenom. 69-70 1 (1999)
  2. Мильвидский М Г Изв. вузов. Материалы электронной техники (1) 1 (2000)
  3. Кумахов М А, Комаров Ф Ф Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах (Минск: Изд-во БГУ, 1979)
  4. Буренков А Ф и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск: Изд-во БГУ, 1980)
  5. Гиббонс Г Ф ТИИЭР 60 (9) 53 (1972)
  6. Ленченко В М, Акилов Ю З ФТП 5 397 (1971)
  7. Акилов Ю З, Ленченко В М ФТП 8 30 (1974)
  8. Герасименко Н Н и др. ФТП 6 1978 (1972)
  9. Герасименко Н Н и др. ФТП 7 2297 (1973)
  10. Watkins G D Mater. Sci. Forum 143-147 (2) 5 (1993)
  11. Stein H J Appl. Phys. Lett. 15 61 (1969)
  12. Barnes C E IEEE Trans. Nucl. Sci. 16 28 (1969)
  13. Вавилов В С, Челядинский А Р УФН 165 347 (1995)
  14. Corbett J W, Watkins G D Phys. Rev. Lett. 7 314 (1961)
  15. Watkins G D in Lattice Defects in Semiconductors: Invited and Contributed Papers from the Intern. Conf., Freiburg, Switzerland, 22 - 25 July 1974 (Conf. Ser.: Inst. of Phys., No. 23) (London: Institute of Physics, 1975) p. 1
  16. Watkins G D in Radiation Damage and Defects in Semiconductors: Proc. of the Intern. Conf., Reading, England, July 19 - 21, 1972 (Conf. Ser.: Inst. of Phys., No. 16) (London: Institute of Physics, 1973) p. 228
  17. Watkins G D J. Phys. Soc. Jpn. 18 (Suppl. 2) 22 (1963)
  18. McKeighen R E, Koehler J S Phys. Rev. B 4 462 (1971)
  19. Gwozdz P S, Koehler J S Phys. Rev. B 6 4571 (1972)
  20. Bourgoin J C, Corbett J W Phys. Lett. A 38 135 (1972)
  21. Weiser K Phys. Rev. 126 1427 (1962)
  22. Berezhnov N I et al. Nucl. Instrum. Meth. B 73 357 (1993)
  23. Watkins G D in Radiation Effects in Semiconductors (Ed. F L Vook) (New York: Plenum Press, 1968) p. 67
  24. Wada T et al. Bull. Daido Inst. Technol. 33 107 (1997)
  25. Mukashev B N, Abdullin K A, Gorelkinskii Yu V Phys. Status Solidi A 168 73 (1998)
  26. Герасименко Н Н, Двуреченский А В, Смирнов Л С ФТП 5 1700 (1971)
  27. Beezhold W, Brower K L IEEE Trans. Nucl. Sci. 19 209 (1973)
  28. De Wit J C, Ammerlaan C A, Watkins G D in Ion Implantation in Semiconductors: Proc. of the 2nd Intern. Conf., Garmisch-Partenkirchen, Germany, 1971 (Eds I Ruge, J Graul) (Berlin: Springer-Verlag, 1971) p. 39
  29. Stein H J, Vook F L, Borders J A Appl. Phys. Lett. 14 328 (1969)
  30. Brower K L, Beezhold W J. Appl. Phys. 43 3499 (1972)
  31. Lee Y-H, Gerasimenko N N, Corbett J W Phys. Rev. B 14 4506 (1976)
  32. Brower K L Phys. Rev. B 14 872 (1976)
  33. Lee Y H, Kim Y M, Corbett J W Radiat. Eff. 15 77 (1972)
  34. Corbett J W, Karins J P, Tan T Y Nucl. Instrum. Methods 182-183 457 (1981)
  35. Berezhnov N I, Stelmakh V F, Chelyadinskii A R Phys. Status Solidi A 78 121 (1983)
  36. Jadan M, Berezhnov N I, Chelyadinskii A R Phys. Status Solidi B 1 (1995)
  37. Челядинский А Р, Вариченко В С, Зайцев А М ФТТ 40 1627 (1998)
  38. Jung W, Newell G S Phys. Rev. 132 648 (1963)
  39. Ботвин В А и др. ФТП 6 1683 (1972)
  40. Araika O J et al. Nucl. Instrum. Meth. B 73 503 (1993)
  41. Стельмах В Ф, Ткачев В Д, Челядинский А Р ФТТ 20 2196 (1978)
  42. Yoon M et al. Appl. Phys. Lett. 75 2791 (1999)
  43. Fedina L I et al. Phys. Status Solidi A 171 147 (1999)
  44. Федина Л И, Гутаковский А К, Асеев А Л Изв. вузов. Материалы электронной техники (3) 19 (2000)
  45. Liefting J R, Custer J S, Saris F W Mater. Sci. Eng. B 25 60 (1994)
  46. Li J, Jones K S Appl. Phys. Lett. 73 3748 (1998)
  47. Tan T Y Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2 163 (1981)
  48. Lee Y H Appl. Phys. Lett. 73 1119 (1998)
  49. Tan T Y, Foel H Bull. Am. Phys. Soc. 25 372 (1980)
  50. Асеев А Л и др. ФТП 13 764 (1979)
  51. Schreutelkamp R J et al. Mater. Sci. Rep. 6 275 (1991)
  52. Brown R A et al. Nucl. Instrum. Meth. B 127-128 55 (1997)
  53. Sechan K, Washburn J Radiat. Eff. 14 267 (1972)
  54. Wu W-K, Washburn J J. Appl. Phys. 48 3742 (1977)
  55. Jones K S, Prussin S, Weber E R Appl. Phys. A 45 1 (1988)
  56. Bicknell R W Proc. R. Soc. London A 311 75 (1969)
  57. Sechan K, Washburn J Radiat. Eff. 26 31 (1975)
  58. Tamura M et al. Nucl. Instrum. Meth. B 21 438 (1987)
  59. Simpson T W, Mitchell I V Nucl. Insrum. Meth. B 127-128 94 (1997)
  60. Tamura M, Suzuki T Nucl. Instrum. Meth. B 39 318 (1989)
  61. Davidson S M, Brooker G R Radiat. Eff. 6 33 (1970)
  62. Lambert J A, Dobson P S Philos. Mag. A 44 1043 (1981)
  63. Cembali F et al. Radiat. Eff. 36 111 (1978)
  64. Jasper C, Hoover A, Jones K S Appl. Phys. Lett. 75 2629 (1999)
  65. Narajan J, Fletcher J Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2 191 (1981)
  66. Mader S in Ion Implantation: Science and Technology (Ed. J F Ziegler) (Orlando: Academic Press, 1984) p. 84
  67. Калинин В В, Асеев А Л, Герасименко Н Н ФТП 13 28 (1979)
  68. Benton J L et al. J. Appl. Phys. 82 120 (1997)
  69. Tan T Y et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2 179 (1981)
  70. Krakow W, Tan T Y, Foell H Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2 185 (1981)
  71. Lampin E, Senez V Nucl. Instrum. Meth. B 147 13 (1999)
  72. Bonafos C, Mathiot D, Claverie A J. Appl. Phys. 83 3008 (1998)
  73. Kim J et al. Phys. Rev. B 55 16186 (1997)
  74. Arai N, Takeda S, Kohyama M Phys. Rev. Lett. 78 4265 (1997)
  75. Claverie A et al. Nucl. Instrum. Meth. B 147 1 (1999)
  76. Cowern N E B et al. Phys. Rev. Lett. 82 4460 (1999)
  77. Pan G Z, Tu K N, Prussin S Appl. Phys. Lett. 71 659 (1997)
  78. Eaglesham D J et al. Appl. Phys. Lett. 65 2305 (1994)
  79. Герасименко Н Н в сб. Труды 2-го советско-американского семинара по ионной имплантации, Пущино, 1979 (Под ред. Л С Смирнова) (Новосибирск: Изд-во НГУ, 1979) с. 351
  80. Ostwald W Z. Phys. Chem. 34 495 (1900)
  81. Burton B, Speight M V Philos. Mag. A 53 385 (1985)
  82. Hu S M Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2 333 (1980)
  83. Dunham S T Appl. Phys. Lett. 63 464 (1993)
  84. Huang R Y S, Dutton R W J. Appl. Phys. 74 5821 (1993)
  85. Meekison C D Philos. Mag. A 69 379 (1994)
  86. Seibt M Solid State Phenom. 32-33 463 (1993)
  87. Hu S M Mater. Sci. Eng. R 13 105 (1994)
  88. Челядинский А Р, Буренков В А ФТТ 40 1995 (1998)
  89. Russell K C Adv. Colloid Interface Sci. 13 205 (1980)
  90. Chason E et al. J. Appl. Phys. 81 6513 (1997)
  91. Moller K, Jones K S, Law M E Appl. Phys. Lett. 72 2547 (1998)
  92. Raman R et al. Appl. Phys. Lett. 74 1591 (1999)
  93. Fatima S et al. Appl. Phys. Lett. 74 1141 (1999)
  94. Crowder B L, Title R S Radiat. Eff. 6 63 (1970)
  95. Chelyadinskii A R, Jadan M, Taher Haki in Proc. of the Intern. Conf. Ion Implantation of Science and Technology, Naleczow, Poland, 22 - 24 Jan., 1997 (Ed. D Maczka) (Lublin: Technical Univ. of Lublin, 1997) p. 114
  96. Жевно А Н, Сидорик В В, Ткачев В Д ДАН БССР 20 409 (1976)
  97. Coffa S, Libertino S, Spinella C Appl. Phys. Lett. 76 321 (2000)
  98. Coffa S et al. Appl. Phys. Lett. 73 1571 (1998)
  99. Герасименко Н Н, Мордкович В Н Поверхность (6) 5 (1987)
  100. Леготин Д Л, Бубновская О В, Тяпунина Н А Вестник МГУ. Cер. 3 Физика. Астрономия (1) 58 (1996)
  101. Fladda G et al. Appl. Phys. Lett. 16 313 (1970)
  102. Mayer J W et al. Can. J. Phys. 46 663 (1968)
  103. Lilak A D et al. Appl. Phys. Lett. 74 2038 (1999)
  104. Nelson R S in Radiation Damage and Defects in Semiconductors: Proc. of the Intern. Conf., Reading, England, July 19 - 21, 1972 (Conf. Ser.: Inst. of Phys., No. 16) (London: Institute of Physics, 1973) p. 140
  105. Xia Z et al. Vacuum 46 1071 (1995)
  106. Liefting R PhD Thesis Degree (Enschede: Univ. of Twente, 1992)
  107. Acco S, Saris F W, Custer J S Mater. Sci. Eng. B 34 168 (1995)
  108. Merli P G, Zignani F Radiat. Eff. Lett. 50 115 (1980)
  109. Cerofolini G F et al. J. Appl. Phys. 56 2981 (1984)
  110. Chen L J et al. J. Appl. Phys. 52 3304 (1981)
  111. Bruel M et al. Nucl. Instrum. Methods 189 135 (1981)
  112. Толстых В П, Хитько В И, Ширяев С Ю Поверхность (5) 90 (1986)
  113. Komarov F F et al. Radiat. Eff. Lett. 85 243 (1985)
  114. Андреев В С, Ефимов С Б, Комаров Ф Ф Письма в ЖТФ 11 1110 (1985)
  115. Komarov F F et al. Radiat. Eff. 90 307 (1985)
  116. Holland O W et al. Radiat. Eff. 90 127 (1985)
  117. Elliman R G et al. Nucl. Insrum. Meth. B 19-20 435 (1987)
  118. Leiberich A, Mayer D M, Knoell R V Nucl. Instrum. Meth. B 19-20 457 (1987)
  119. Berti M et al. Nucl. Instrum. Meth. B 19-20 475 (1987)
  120. Комаров Ф Ф, Новиков А П, Толстых В П в сб. Материалы 16-го Всесоюзн. совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 1987 (М.: Изд-во МГУ, 1987) с. 126
  121. Holland O W, Narayan J Appl. Phys. Lett. 44 758 (1984)
  122. Gadili E et al. Jpn. J. Appl. Phys. 24 14 (1985)
  123. Комаров Ф Ф и др. ФТП 20 1726 (1986)
  124. Olson G L et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 23 375 (1984)
  125. Galloni R et al. Nucl. Instrum. Meth. B 19-20 446 (1987)
  126. Holland O W, Narayan J Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 27 235 (1984)
  127. Cembali G F, Merli P G, Zignani F Appl. Phys. Lett. 38 808 (1981)
  128. Cembali G F et al. Appl. Phys. Lett. 40 62 (1982)
  129. Dietrich H B, Corazzi R J, Tseng W F Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 27 241 (1984)
  130. Rupprecht H J. Vac. Sci. Technol. 15 1669 (1978)
  131. Westendorp J F M et al. Nucl. Instrum. Meth. B 37-38 357 (1989)
  132. Kakoschke R et al. IEEE Trans. Electron Dev. 37 1052 (1990)
  133. Kaim R E Solid State Technol. 33 103 (1990)
  134. Герасименко Н Н "Способ ионного внедрения в кристаллические подложки" Авт. свид. СССР №906304 от 14.10.1981 (1981)
  135. Liefting J R et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 235 173 (1992)
  136. Liefting J R et al. Appl. Phys. Lett. 63 1134 (1993)
  137. Wong H et al. Appl. Phys. Lett. 52 1023 (1988)
  138. Liefting J R, Custer J S, Saris F W Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 235 179 (1992)
  139. Stolk P A et al. J. Appl. Phys. 81 6031 (1997)
  140. Libertino S et al. Appl. Phys. Lett. 71 389 (1997)
  141. Watkins G D, Brower K L Phys. Rev. Lett. 36 1329 (1976)
  142. Tamura M, Ando T, Ohyu K Nucl. Instrum. Meth. B 59-60 572 (1991)
  143. Strane J W et al. J. Appl. Phys. 79 637 (1996)
  144. Kobayashi N et al. Nucl. Instrum. Meth. B 127-128 350 (1997)
  145. Tsukamoto K et al. Nucl. Instrum. Meth. B 59-60 584 (1991)
  146. Serre C et al. J. Appl. Phys. 77 2978 (1995)
  147. Власенко Л С и др. ФТП 33 1164 (1999)
  148. Werner P et al. Appl. Phys. Lett. 70 252 (1997)
  149. Claverie A et al. Nucl. Instrum. Meth. B 127-128 22 (1997)
  150. Simpson T W, Goldberg R D, Mitchell I V Appl. Phys. Lett. 67 2857 (1995)
  151. Бережнов Н И, Супрун-Белевич Ю Р, Челядинский А Р Изв. вузов. Физика (4) 55 (1991)
  152. Ржанов А В, Герасименко Н Н, Васильев С В Письма в ЖТФ 7 1221 (1981)
  153. Gay H C, Griot D "Thermal annealing by microwave assisted focused beam" Motorola Patent No. R 9016040, filed 20.12.90 (1990)
  154. Gay H-C, Gibert P, Lin-Kwang J J. Appl. Phys. 88 3968 (2000)
  155. Zhao Q-T, Wang Z-L Nucl. Instrum. Meth. B 108 81 (1996)
  156. Lu W X et al. Appl. Phys. Lett. 55 1838 (1989)
  157. Борковская О Ю и др. ФТП 17 1349 (1983)
  158. Nicholas K H et al. Appl. Phys. Lett. 26 320 (1975)
  159. Bohm H-J et al. IEEE Trans. Electron Dev. 35 1616 (1988)
  160. Takahashi M, Konaka S, Kajiyama K J. Appl. Phys. 54 6041 (1983)
  161. Bull C et al. Solid State Electron. 22 95 (1979)
  162. Ikeda T et al. Jpn. J. Appl. Phys. 14 311 (1975)
  163. Tamura M, Yoshihiro N, Ikeda T Appl. Phys. Lett. 27 427 (1975)
  164. Prussin S J. Appl. Phys. 45 1635 (1974)
  165. Ashburn P et al. Solid State Electron. 20 731 (1977)
  166. Liefting R et al. IEEE Trans. Electron Dev. 41 50 (1994)
  167. Wijburg R C et al. IEEE Trans. Electron Dev. 38 111 (1991)
  168. Sze S M Semiconductor Devices, Physics and Technology (New York: Wiley, 1985)
  169. Wong H, Cheung N W, Wong S S Nucl. Instrum. Meth. B 37-38 970 (1989)
  170. Gibbons J F Appl. Phys. Lett. 23 49 (1972)
  171. Aleksandrov O V, Kozlovskii V V, Popov V V Phys. Status Solidi A 110 61 (1986)
  172. Герасименко Н Н и др. ФТП 9 2117 (1975)
  173. Werner H W et al. Appl. Phys. 2 262 (1973)
  174. Горбань А Н, Городохин В А Изв. вузов. Физика (9) 56 (1988)
  175. Стельмах В Ф и др. ФТП 19 739 (1985)
  176. Stelmakh V F et al. Phys. Status Solidi A 89 45 (1985)
  177. Стельмах В Ф, Супрун-Белевич Ю Р, Челядинский А Р Изв. вузов. Физика (9) 114 (1987)
  178. Stelmakh V F, Suprun-Belevich Yu R, Chelyadinskii A R Phys. Status Solidi A 112 381 (1989)
  179. Chelyadinskii A R, Taher Haki Phys. Status Solidi A 142 331 (1994)
  180. Stelmakh V F, Suprun-Belevich Yu R, Chelyadinskii A R Phys. Res. 8 288 (1988)
  181. Hu S M Phys. Rev. 180 773 (1969)
  182. Servidori M et al. J. Appl. Phys. 65 98 (1989)
  183. Servidori M et al. Nucl. Instrum. Meth. B 39 347 (1989)
  184. Риссел Х, Руге И Ионная имплантация (М.: Наука, 1983)
  185. Герасименко Н Н, Жеребцов А С, Камнев А Б Микроэлектроника 4 611 (1975)
  186. Scheid E, Chenevier P Phys. Status Solidi A 93 523 (1986)
  187. Gossmann H J et al. Appl. Phys. Lett. 63 639 (1993)
  188. Jadan M, Chelyadinskii A R in X Intern. Conf. Ion Implantation Technology, Catania, Italia, June 13 - 17, 1994, Abstracts (Ed. R Jones) (Amsterdam: North-Holland, 1994) p. 3
  189. Peterström S, Svensson B G J. Appl. Phys. 71 1215 (1992)
  190. Емцев В В, Маргорян М А Письма в ЖТФ 10 1063 (1984)
  191. Калинин В В, Герасименко Н Н, Стенин С И ФТТ 18 2803 (1976)
  192. Стельмах В Ф, Супрун-Белевич Ю Р, Челядинский А Р Поверхность: Физика, химия, механика (10) 123 (1989)
  193. Ohta K, Sakano J, Furukawa S Nucl. Instrum. Meth. B 59-60 1113 (1991)
  194. Fahey P et al. Appl. Phys. Lett. 46 784 (1985)
  195. Mathiot D, Pfister J C J. Appl. Phys. 55 3518 (1984)
  196. Schwettmann F N, Kendal D L Appl. Phys. Lett. 19 218 (1971)
  197. Yoshida M J. Appl. Phys. 48 2169 (1977)
  198. Fair B, Tsai C C J. Electrochem. Soc. 124 1107 (1977)
  199. Burenkov V A, Jadan M, Chelyadinskii A R in Proc. of the Intern. Conf. Ion Implantation of Science and Technology, Naleczow, Poland, 22 - 24 Jan., 1997 (Ed. D Maczka) (Lublin: Technical Univ. of Lublin, 1997) p. 108
  200. Ajmera A C, Rozgonyi G A, Fair R B Appl. Phys. Lett. 52 813 (1988)
  201. Oehrlein G S, Cohen S A, Sedgwick T O Appl. Phys. Lett. 45 417 (1984)
  202. Negrini P et al. Philos. Mag. A 61 553 (1990)
  203. Chelyadinskii A R, Taher Haki, Suprun-Belevich Yu R in Fall Meeting MRS, Boston, 1993 (Ed. M Stovola) (Boston: Academic Press, 1993)
  204. Cowern N E B et al. Appl. Phys. Lett. 65 2981 (1994)
  205. Xu J et al. J. Appl. Phys. 81 107 (1997)
  206. Gencer A H, Dunham S T J. Appl. Phys. 81 631 (1997)
  207. Bonafos C et al. J. Appl. Phys. 82 2855 (1997)
  208. Cheng J Y et al. J. Appl. Phys. 80 2105 (1996)
  209. Agarwal A et al. Appl. Phys. Lett. 70 3332 (1997)
  210. Liu J et al. J. Appl. Phys. 81 1656 (1997)
  211. Zhang L H et al. Appl. Phys. Lett. 67 2025 (1995)
  212. Rozgoni G A et al. J. Gryst. Growth 85 300 (1987)
  213. Bergholz W, Gilles D Phys. Status Solidi B 222 5 (2000)
  214. Мильвидский М Г, Освенский В Б Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М.: Металлургия, 1984) с. 210
  215. Смирнов Л С (Ред.) Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск: Наука, 1977)
  216. Болотов В В и др. Вопросы радиационной технологии полупроводников (Под ред. Л С Смирнова) (Новосибирск: Наука, 1980)
  217. Yamazaki H et al. J. Appl. Phys. 87 4194 (2000)
  218. Ruiz H J, Pollack G P J. Electrochem. Soc. 125 128 (1978)
  219. Hu S M Appl. Phys. Lett. 36 561 (1980)
  220. Gaworzewski P, Ritter H Phys. Status Solidi A 67 511 (1981)
  221. Newman R C et al. J. Appl. Phys. 70 3061 (1991)
  222. McQuaid S A et al. J. Appl. Phys. 77 1427 (1995)
  223. Zhong L, Shimura F J. Appl. Phys. 73 707 (1993)
  224. Izunome K et al. Appl. Phys. Lett. 68 49 (1996)
  225. Gosele U, Tan T Y Appl. Phys. A 28 79 (1982)
  226. McQuaid S A et al. J. Appl. Phys. 86 1878 (1999)
  227. Shimura F, Higuchi T, Hockett R S Appl. Phys. Lett. 53 69 (1988)
  228. Wijaranakula W J. Appl. Phys. 68 6538 (1990)
  229. Kaiser W Phys. Rev. 105 1751 (1957)
  230. Lederhandler S, Patel J R Phys. Rev. 108 239 (1957)
  231. Hu S M J. Appl. Phys. 52 3974 (1981)
  232. Newman R C J. Phys. Condens. Matter 12 R335 (2000)
  233. Воронков В В, Мильвидский М Г, Гринштейн П М Кристаллография 34 199 (1989)
  234. Wada K, Inoue N, Kohra K J. Cryst. Growth 49 749 (1980)
  235. Ham F S J. Phys. Chem. Solids 6 335 (1958)
  236. Rozgonyi G A et al. Appl. Phys. Lett. 29 531 (1976)
  237. Senkader S, Esfandyari J, Hobler G J. Appl. Phys. 78 6469 (1995)
  238. Esfandyari J et al. J. Electrochem. Soc. 143 995 (1996)
  239. Senkader S, Hobler G in Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (NATO ASI Ser., Ser. 3, Vol. 17, Ed. R Jones) (Dordrecht: Kluwer Acad. Publ., 1996) p. 447
  240. Christian J W The Theory of Transformations in Metals and Alloys Vol. 1 (Oxford: Pergamon Press, 1975)
  241. Vineyard G H J. Phys. Chem. Solids 3 121 (1957)
  242. Mikkelsen J Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59 1 (1986)
  243. Turnbull D, Fisher J C J. Chem. Phys. 17 71 (1949)
  244. Burke J The Kinetics of Phase Transformations in Metals (Oxford: Pergamon Press, 1965)
  245. Tiller W A, Oh S J. Appl. Phys. 64 375 (1988)
  246. Koizuka M, Yamada-Kaneta H J. Appl. Phys. 84 4255 (1998)
  247. Koizuka M, Yamada-Kaneta H J. Appl. Phys. 88 1784 (2000)
  248. Caplan P J et al. J. Appl. Phys. 50 5847 (1979)
  249. Poindexter E H, Caplan P J Prog. Surf. Sci. 14 201 (1983)
  250. Hu S M J. Appl. Phys. 51 5945 (1980)
  251. Sassella A et al. Appl. Phys. Lett. 75 1131 (1999)
  252. Borghesi A et al. Mater. Sci. Eng. B 73 145 (2000)
  253. Kishino S et al. J. Appl. Phys. 50 8240 (1979)
  254. Kishino S, Matsushita Y, Kanamori M Jpn. J. Appl. Phys. 21 1 (1982)
  255. Tang S S, Shen Y Y, Li Y Z Chinese J. Semicond. 7 489 (1986)
  256. Tan T Y, Gardner E E, Tice W K Appl. Phys. Lett. 30 175 (1977)
  257. Shimura F J. Appl. Phys. 59 3251 (1986)
  258. Liu P et al. J. Appl. Phys. 87 3669 (2000)
  259. Leroncille J Phys. Status Solidi A 74 159 (1982)
  260. Shimura F, Hockett R S Appl. Phys. Lett. 48 224 (1986)
  261. Aihara K et al. J. Appl. Phys. 88 3705 (2000)
  262. Tan T Y, Tice W K Philos. Mag. 34 615 (1976)
  263. Tice W K, Tan T Y Appl. Phys. Lett. 28 564 (1976)
  264. Ourmazd A, Schröter W Appl. Phys. Lett. 45 781 (1984)
  265. Colas E G, Weber E R Appl. Phys. Lett. 48 1371 (1986)
  266. Sumino K Mater. Sci. Eng. B 72 67 (2000)
  267. Gilles D, Weber E R, Hahn S K Phys. Rev. Lett. 64 196 (1990)
  268. Masters B J, Fairfield J M, Crowder B L in Ion Implantation (Ed. F H Eisen, L T Chadderton) (London: Gordon and Breach Sci. Publ., 1971) p. 81
  269. Buck T M, Pickar K A, Poate J M Appl. Phys. Lett. 21 485 (1972)
  270. Goetzberger A, Shockley W J. Appl. Phys. 31 1821 (1960)
  271. Huntley F A, Willoughby A F W J. Electrochem. Soc. 120 914 (1973)
  272. Seidel T E, Meek R L, Cullis A G J. Appl. Phys. 46 600 (1975)
  273. Wong H, Cheung N W, Chu P K Appl. Phys. Lett. 52 889 (1988)
  274. Benton J L et al. J. Electrochem. Soc. 143 1406 (1996)
  275. Lambert J L, Reese M Solid State Electron. 11 1055 (1968)
  276. Borland J O, Koelsch R Solid State Technol. 36 28 (1993)
  277. Wang Z L et al. J. Appl. Phys. 71 3780 (1992)
  278. Kuroi T et al. Jpn. J. Appl. Phys. 32 303 (1993)
  279. Venezia V C et al. Appl. Phys. Lett. 73 2980 (1998)
  280. Kögler R et al. Appl. Phys. Lett. 75 1279 (1999)
  281. Brown R A et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 438 155 (1997)
  282. Koveshnikov S, Kononchuk O Appl. Phys. Lett. 73 2340 (1998)
  283. Brown R A et al. J. Appl. Phys. 84 2459 (1998)
  284. Kögler R et al. Nucl. Instrum. Meth. B 186 298 (2002)
  285. Gueorguiev Y M et al. Appl. Phys. Lett. 75 3467 (1999)
  286. Kögler R et al. Nucl. Instrum. Meth. B 148 334 (1999)
  287. Troitski V Yu, Gerasimenko N N, Smirnov A V in Ion Implantation 2000: Proc. of the Intern. Conf., Alpach, Austria, 17 - 22 Sept. 2000 (Eds H Ryssel et al.) (New York: IEEE, 2000) p. 334
  288. Griffioen C C et al. Nucl. Instrum. Meth. B 27 417 (1987)
  289. Wong-Leung J et al. Appl. Phys. Lett. 66 1231 (1995)
  290. Godey S et al. J. Appl. Phys. 87 2158 (2000)
  291. Delamare R et al. Nucl. Instrum. Meth. B 186 324 (2002)
  292. Myers S M, Follstaedt D M, Bishop D M Mater. Sci. Forum 143-147 1635 (1994)
  293. Myers S M, Follstaedt D M J. Appl. Phys. 79 1337 (1996)
  294. Lee Y-H, Corbett J W Phys. Rev. B 9 4351 (1974)
  295. Ramdas A K, Fan H Y J. Phys. Soc. Jpn. 18 34 (1963)
  296. Daly D F, Pickar K A Appl. Phys. Lett. 15 267 (1969)
  297. Akiyama T et al. Jpn. J. Appl. Phys. 38 L1363 (1999)
  298. Fichtner P F P et al. Appl. Phys. Lett. 70 732 (1997)
  299. Muto S, Takeda S, Hirata M Philos. Mag. A 72 1057 (1995)
  300. Murakami K et al. Phys. Rev. Lett. 77 3161 (1996)
  301. Okamoto Y, Saito M, Oshiyama A Phys. Rev. B 56 R10016 (1997)
  302. Van de Walle C G Phys. Rev. Lett. 80 2177 (1998)
  303. Hourahine B et al. Phys. Rev. B 57 R12666 (1998)
  304. Leitch A W R, Alex V, Weber J Phys. Rev. Lett. 81 421 (1998)
  305. Pritchard R E et al. Phys. Rev. B 56 13118 (1997)
  306. Kitajima M et al. Jpn. J. Appl. Phys. 38 L691 (1999)
  307. Kitajima M et al. Mater. Sci. Eng. B 58 13 (1999)
  308. Cerofolini G F et al. Phys. Rev. B 46 2061 (1992)
  309. Myers S M et al. Phys. Rev. B 47 13380 (1993)
  310. Markevich V P, Suezawa M, Murin L I Mater. Sci. Eng. B 58 26 (1999)
  311. Hourahine B et al. Mater. Sci. Eng. B 58 24 (1999)
  312. Van de Walle C G Phys. Rev. B 49 4579 (1994)
  313. Leitch A W R, Weber J, Alex V Mater. Sci. Eng. B 58 6 (1999)
  314. Raineri V et al. J. Appl. Phys. 78 3727 (1995)
  315. Matthews M D, Ashby S J Philos. Mag. 27 1313 (1973)
  316. Myers S M, Bishop D M, Follstaedt D M Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 283 549 (1993)
  317. Skorupa W et al. Appl. Phys. Lett. 67 2992 (1995)
  318. Zhang M et al. Appl. Phys. Lett. 72 830 (1998)
  319. Zhang M et al. Nucl. Instrum. Meth. B 134 360 (1998)
  320. Zhang M et al. J. Appl. Phys. 85 94 (1999)
  321. Job R et al. Appl. Phys. A 72 325 (2001)
  322. Kinomura A et al. Nucl. Instrum. Meth. B 127-128 297 (1997)
  323. Wong-Leung J, Nygren E, Williams J S Nucl. Instrum. Meth. B 106 424 (1995)
  324. Mohadjeri B, Williams J S, Wong-Leung J Appl. Phys. Lett. 66 1889 (1995)
  325. Ishiwara H, Saitoh S, Hikosaka K Jpn. J. Appl. Phys. 20 843 (1981)
  326. Myers S M, Bishop D M, Follstaedt D M Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 316 33 (1994)
  327. Wong-Leung J et al. Nucl. Instrum. Meth. B 96 253 (1995)
  328. Petersen G A, Myers S M, Follstaedt D M Nucl. Instrum. Meth. B 127-128 301 (1997)
  329. Saint-Jacques R G Nucl. Instrum. Meth. 209-210 333 (1983)
  330. Попов В П и др. Микроэлектроника 31 274 (2002)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение