Выпуски

 / 

2003

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

 а,  б
а Белорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь
б НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200308b.0813
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
Цитата: Челядинский А Р, Комаров Ф Ф "Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии" УФН 173 813–846 (2003)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии
AU Челядинский, А. Р.
AU Комаров, Ф. Ф.
PB Успехи физических наук
PY 2003
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 173
IS 8
SP 813-846
UR https://ufn.ru/ru/articles/2003/8/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200308b.0813

English citation: Chelyadinskii A R, Komarov F F “Defect-impurity engineering in implanted siliconPhys. Usp. 46 789–820 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n08ABEH001371

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение