Выпуски

 / 

2002

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца

 а,  б,  в
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
в Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Обобщены экспериментальные данные по свойствам примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца. Представлены теоретические модели, описывающие нетривиальные особенности этих примесных состояний. Рассмотрены прикладные аспекты проблемы, связанные с использованием указанных материалов в качестве высокочувствительных приемников излучения дальнего ИК-диапазона.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 71.23.An, 71.55.−i, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200208b.0875
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/8/b/
Цитата: Волков Б А, Рябова Л И, Хохлов Д Р "Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца" УФН 172 875–906 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A, Ryabova L I, Khokhlov D R “Mixed-valence impurities in lead telluride-based solid solutionsPhys. Usp. 45 819–846 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n08ABEH001146

Список литературы (180) Статьи, ссылающиеся на эту (194) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» 145 51–86 (1985)
  2. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» 168 817–842 (1998)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» 184 1033–1044 (2014)
  4. И.Г. Неизвестный, А.Э. Климов, В.Н. Шумский «Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра» 185 1031–1042 (2015)
  5. А.В. Дмитриев, И.П. Звягин «Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов» 180 821–838 (2010)
  6. К.В. Мицен, О.М. Иваненко «Фазовая диаграмма La2-xMxCuO4 как ключ к пониманию природы ВТСП» 174 545–563 (2004)
  7. М.И. Клингер «Автолокализованные состояния электронов и дырок» 146 105–142 (1985)
  8. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» 170 143–155 (2000)
  9. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» 124 597–617 (1978)
  10. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» 162 (2) 63–105 (1992)
  11. И.М. Суслов «Построение (4-ε)-мерной теории для плотности состояний неупорядоченной системы вблизи перехода Андерсона» 168 503–530 (1998)
  12. М.И. Клингер «Низкотемпературные свойства и локализованные электронные состояния стекол» 152 623–652 (1987)
  13. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» 188 913–934 (2018)
  14. В.П. Быков «Фотоотсчеты и лазерное детектирование слабых оптических сигналов» 175 495–513 (2005)
  15. Ю.Ф. Крупянский, В.И. Гольданский «Динамические свойства и энергетичесий ландшафт простых глобулярных белков» 172 1247–1269 (2002)
  16. Д.И. Хомский «Проблема промежуточной валентности» 129 443–485 (1979)
  17. Н.Н. Берченко, М.В. Пашковский «Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной» 119 223–255 (1976)
  18. А.Л. Ивановский «Магнитные эффекты в немагнитных sp-материалах, индуцированные sp-примесями и дефектами» 177 1083 (2007)
  19. А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» 178 243–266 (2008)
  20. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» 114 185–211 (1974)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение