Выпуски

 / 

2002

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца

 а,  б,  в
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
в Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Обобщены экспериментальные данные по свойствам примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца. Представлены теоретические модели, описывающие нетривиальные особенности этих примесных состояний. Рассмотрены прикладные аспекты проблемы, связанные с использованием указанных материалов в качестве высокочувствительных приемников излучения дальнего ИК-диапазона.

Текст pdf (575 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2002v045n08ABEH001146
PACS: 71.23.An, 71.55.−i, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200208b.0875
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/8/b/
000179657600002
Цитата: Волков Б А, Рябова Л И, Хохлов Д Р "Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца" УФН 172 875–906 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A, Ryabova L I, Khokhlov D R “Mixed-valence impurities in lead telluride-based solid solutionsPhys. Usp. 45 819–846 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n08ABEH001146

Список литературы (180) Статьи, ссылающиеся на эту (220) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  2. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  4. И.Г. Неизвестный, А.Э. Климов, В.Н. Шумский «Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра» УФН 185 1031–1042 (2015)
  5. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  6. А.В. Дмитриев, И.П. Звягин «Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов» УФН 180 821–838 (2010)
  7. К.В. Мицен, О.М. Иваненко «Фазовая диаграмма La2-xMxCuO4 как ключ к пониманию природы ВТСП» УФН 174 545–563 (2004)
  8. М.И. Клингер «Автолокализованные состояния электронов и дырок» УФН 146 105–142 (1985)
  9. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  10. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  11. Н.Н. Берченко, М.В. Пашковский «Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной» УФН 119 223–255 (1976)
  12. М.А. Семина, Р.А. Сурис «Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах» УФН 192 121–142 (2022)
  13. Д.И. Хомский «Проблема промежуточной валентности» УФН 129 443–485 (1979)
  14. И.М. Суслов «Построение (4-ε)-мерной теории для плотности состояний неупорядоченной системы вблизи перехода Андерсона» УФН 168 503–530 (1998)
  15. М.И. Клингер «Низкотемпературные свойства и локализованные электронные состояния стекол» УФН 152 623–652 (1987)
  16. В.В. Вальков, М.С. Шустин и др. «Топологическая сверхпроводимость и майорановские состояния в низкоразмерных системах» УФН 192 3–44 (2022)
  17. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» УФН 114 185–211 (1974)
  18. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» УФН 188 913–934 (2018)
  19. А.В. Галеева, А.С. Казаков, Д.Р. Хохлов «Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты» УФН 194 1046–1058 (2024)
  20. В.П. Быков «Фотоотсчеты и лазерное детектирование слабых оптических сигналов» УФН 175 495–513 (2005)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение