Выпуски

 / 

2002

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца

 а,  б,  в
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
в Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Обобщены экспериментальные данные по свойствам примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца. Представлены теоретические модели, описывающие нетривиальные особенности этих примесных состояний. Рассмотрены прикладные аспекты проблемы, связанные с использованием указанных материалов в качестве высокочувствительных приемников излучения дальнего ИК-диапазона.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 71.23.An, 71.55.−i, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200208b.0875
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/8/b/
Цитата: Волков Б А, Рябова Л И, Хохлов Д Р "Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца" УФН 172 875–906 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A, Ryabova L I, Khokhlov D R “Mixed-valence impurities in lead telluride-based solid solutionsPhys. Usp. 45 819–846 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n08ABEH001146

Список литературы (180) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (194) Похожие статьи (20)

  1. Parada N J, Pratt G W (Jr) Phys. Rev. Lett. 22 180 (1969)
  2. Parada N J Phys. Rev. B 3 2042 (1971)
  3. Hemstreet L A Phys. Rev. B 11 2260 (1975)
  4. Волков Б А, Панкратов О А ДАН СССР 255 93 (1980)
  5. Bauer G et al. J. Appl. Phys. 47 1721 (1976)
  6. Hjalmarson H P et al. Phys. Rev. Lett. 44 810 (1980)
  7. Кайданов В И, Равич Ю И УФН 145 51 (1985)
  8. Кайданов В И, Немов С А, Равич Ю И ФТП 28 369 (1994)
  9. Немов С А, Равич Ю И УФН 168 817 (1998)
  10. Nimtz G, Schlicht B Narrow Gap Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics, Vol. 98, Ed. G Hohler) (Berlin: Springer-Verlag, 1983)
  11. Lischka K Phys. Status Solidi B 133 17 (1986)
  12. Akimov B A et al. Phys. Status Solidi A 137 9 (1993)
  13. Partin D L J. Appl. Phys. 57 1997 (1985)
  14. Акимов Б A и др. ФТП 25 342 (1991)
  15. Vulchev V D, Borisova L D, Dimitrova S K Phys. Status Solidi A 97 K79 (1986)
  16. Акимов Б А и др. ФТП 24 1349 (1990)
  17. Akimov B A, Lvova N A, Ryabova L I Phys. Rev. B 58 10430 (1998)
  18. Story T et al. Acta Phys. Pol. A 84 773 (1993)
  19. Grodzicka E et al. J. Cryst. Growth 138 1034 (1994)
  20. Story T et al. Acta Phys. Pol. A 87 229 (1995)
  21. Grodzicka E et al. Cryst. Res. Technol. S 31 651 (1996)
  22. Виноградова М Н и др. ФТП 12 663 (1978)
  23. Бытенский Л И и др. ФТП 18 489 (1984)
  24. Новоселова А В и др. Вестник МГУ, Сер. 2. Хим. 23 3 (1982)
  25. Moellmann K-P, Sishe D, Zajnudinov S Crystal Res. Technol. 21 1273 (1986)
  26. Лакеенков В М и др. УФЖ 29 757 (1984)
  27. Бушмарина Г С и др. Изв. АН СССР. Неорг. матер. 23 222 (1987)
  28. Вейс А Н и др. ФТП 7 928 (1973)
  29. Акимов Б А и др. ФТП 17 87 (1983)
  30. Сизов Ф Ф, Пляцко С В, Лакеенков В М ФТП 19 592 (1985)
  31. Белоконь С А и др. ФТП 26 264 (1992)
  32. Skipetrov E P et al. Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics (Proc. SPIE, Vol. 3182, Eds F F Sizov, V V Tetyorkin) (Bellingham, WA: SPIE, 1997) p. 228
  33. Брандт Н Б, Скипетров Е П ФНТ 22 870 (1996)
  34. Долженко Д Е и др. ФТП 34 1194 (2000)
  35. Акимов Б А и др. ФТП 17 1604 (1983)
  36. Каширская Л М и др. ФТП 24 1349 (1990)
  37. Кайданов В И, Мельник Р Б, Черник И А ФТП 7 759 (1973)
  38. Кайданов В И, Немов С А, Равич Ю И ФТП 26 201 (1992)
  39. Черник И А, Лыков С Н Письма в ЖТФ 33 94 (1981)
  40. Кайданов В И и др. Письма в ЖЭТФ 35 517 (1982)
  41. Немов С А, Богатыренко Н Г, Прошин В И ФТП 24 1391 (1990)
  42. Кайданов В И, Рыков С А, Рыкова М А ФТТ 31 (8) 68 (1989)
  43. Вейс А Н и др. ФТП 11 995 (1977)
  44. Кайданов В И, Мельник Р Б, Немов С А ФТП 13 1011 (1979)
  45. Прокофьева Л В, Виноградова М Н, Зарубо С В ФТП 14 2201 (1980)
  46. Прокофьева Л В и др. Письма в ЖЭТФ 33 14 (1981)
  47. Vulchev V D, Borisova L D Phys. Status Solidi A 99 K53 (1987)
  48. Ivanchik I I et al. Proc. of the 24th Intern Conf. on the Physics of Semiconductors, Aug. 2 - 7, 1998, Jerusalem, Israel Vol. 2 (Ed. G Gershoni) (Singapore: World Scientific, 1999), TH1-D3
  49. Акимов Б А и др. ФТП 13 752 (1979)
  50. Takaoka S, Itoga T, Murase K Jpn. J. Appl. Phys. 23 216 (1984)
  51. Акимов Б А и др. ФТП 23 1019 (1989)
  52. Лебедев А И, Абдуллин Х А ФТП 18 624 (1984)
  53. Бочарова Т В и др. ФТП 16 1462 (1982)
  54. Акимов Б А и др. ФТП 25 250 (1991)
  55. Акимов Б А и др. ФТП 27 351 (1993)
  56. Grodzicka E et al. Acta Phys. Pol. A 90 801 (1996)
  57. Выграненко Ю К, Слынько В Е, Слынько Е И Неорг. матер. 31 1338 (1995)
  58. Mahoukou F et al. Phys. Status Solidi B 195 511 (1996)
  59. Story T Acta Phys. Pol. A 92 663 (1997)
  60. Skipetrov E P et al. Phys. Status Solidi B 210 289 (1998)
  61. Skipetrov E P et al. Phys. Rev. B 59 12928 (1999)
  62. Story T et al. Acta Phys. Pol. A 92 997 (1997)
  63. Story T et al. Acta Phys. Pol. A 82 879 (1992)
  64. Акимов Б А и др. ФТП 13 1293 (1979)
  65. Акимов Б А и др. Письма в ЖЭТФ 31 304 (1980)
  66. Skipetrov E P et al. J. Cryst. Growth 210 292 (2000)
  67. Акимов Б А и др. Письма в ЖЭТФ 29 11 (1979)
  68. Akimov B A et al. J. Low Temp. Phys. 51 9 (1983)
  69. Акимов Б А, Рябова Л И, Чудинов С М ФТТ 21 708 (1979)
  70. Цидильковский И М, Кулеев И Г, Ляпилин И И ЖЭТФ 102 326 (1992); Цидильковский И М, Кулеев И Г, Ляпилин И И ЖЭТФ 102 1652 (1992); Mycielski J Solid State Commun. 60 165 (1986)
  71. Ivanchik I I et al. Phys. Rev. B 14889 (2000)
  72. Скипетров Е П и др. Изв. вузов, Сер. Матер. Электр. Тех. 1 (3) 68 (1998)
  73. Шейкман М К, Шик А Я ФТП 10 208 (1976)
  74. Lo I et al. Appl. Phys. Lett. 60 751 (1992)
  75. Mooney P M J. Appl. Phys. 67 (3) R1 (1990); Chadi D J, Chang K J Phys. Rev. Lett. 61 873 (1988)
  76. Вул Б М Письма в ЖЭТФ 29 21 (1979)
  77. Akimov B A et al. Phys. Lett. A 88 483 (1982)
  78. Акимов Б А и др. Высокочистые вещества 6 22 (1991)
  79. Волков Б А, Воронова И Д, Шотов А П ДАН СССР 293 602 (1987)
  80. Вул Б М Письма в ЖЭТФ 33 346 (1981)
  81. Martinez A et al. J. Appl. Phys. 57 1165 (1985)
  82. Martinez A et al. J. Appl. Phys. 58 4618 (1985)
  83. Moellmann K-P, Herrmann K H, Enderlein R Proc. of the 16th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors, Montpellier, 1982 (1983); Moellmann K-P, Herrmann K H, Enderlein R Physica B 117-118 582 (1983)
  84. Herrmann K H, Moellmann K-P, Wendt M Phys. Status Solidi A 80 541 (1983)
  85. Лебедев А И, Айтикеева Т Д ФТП 18 1964 (1984)
  86. Троян Ю Г, Сизов Ф Ф, Лакеенков В М ФТП 20 1776 (1986)
  87. Akimov B A et al. Semicond. Sci. Technol. 14 679 (1999)
  88. Акимов Б А и др. ФТП 35 524 (2001)
  89. Akimov B A et al. Phys. Rev. B 61 16045 (2000)
  90. Акимов Б А и др. Письма в ЖЭТФ 39 222 (1984)
  91. Акимов Б А, Албул А В, Рябова Л И ФТП 29 2158 (1995)
  92. Засавицкий И И и др. ФТП 21 1789 (1987)
  93. Засавицкий И И, Мацонашвили Б Н, Трофимов В Т ФТП 23 2019 (1989)
  94. Засавицкий И И и др. Письма в ЖЭТФ 42 3 (1985)
  95. Засавицкий И И и др. ФТП 20 214 (1986)
  96. Krotkus A et al. Solid State Electron. 26 605 (1983)
  97. St-Onge H, Walpole J N Phys. Rev. B 6 2337 (1972)
  98. Кроткус А, Плитникас П, Шимкене И ФТП 17 2180 (1983)
  99. Jantsch W, Rozenbergs J, Heinrich H Solid State Electron. 21 103 (1972)
  100. Jantsch W, Rozenbergs J, Heinrich H Solid State Commun. 17 1145 (1975)
  101. Кроткус А и др. Лит. физ. сборник 26 582 (1986)
  102. Акимов Б А, Брандт Н Б, Никифоров В Н ФТТ 26 1602 (1984)
  103. Akimov B A et al. Solid State Commun. 43 31 (1982)
  104. Happ M, Moellmann K-P Phys. Status Solidi A 91 K159 (1985)
  105. Herrmann K H et al. Phys. Status Solidi A 71 K21 (1982)
  106. Herrmann K H, Moellmann K-P Phys. Status Solidi A 80 K101 (1983)
  107. Акимов Б А, Хохлов Д Р, Чесноков С Н ФТП 23 899 (1989)
  108. Абрамян Ю А, Папазян К З, Стафеев В И ФТП 24 1752 (1990)
  109. Akimov B A, Albul A V, Bogdanov E V Semicond. Sci. Technol. 8 S447 (1993)
  110. Акимов Б А, Албул А В, Богданов Е В, Ильин В Ю ФТП 28 232 (1994)
  111. Вейс А Н, Яфаев Р Р ФТП 18 475 (1984)
  112. Вейс А Н, Глебова Е В Изв. вузов, Сер. Физика 26 117 (1983)
  113. Драбкин И А и др. ФТП 7 794 (1973)
  114. Вейс А Н, Кайданов В И, Немов С А ФТП 12 1599 (1978)
  115. Бочарова Т В и др. ФТП 15 175 (1981)
  116. Вейс А Н и др. ФТП 10 104 (1976)
  117. Lideikis T et al. Solid State Commun. 57 583 (1986)
  118. Takaoka S, Murase K J. Phys. Soc. Jpn 52 25 (1983)
  119. McKnight S W, El-Rayess M K Solid State Commun. 49 1001 (1984)
  120. McKnight S W, El-Rayess M K J. Phys. C 17 6893 (1984)
  121. Takaoka S et al. Solid State Commun. 54 99 (1985)
  122. Ishigushi T, Drew H W Proc. of the 17th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors, Aug., 1984, San-Francisco, USA (1984) p. 319
  123. Акимов Б А и др. ЖЭТФ 87 1349 (1984)
  124. Romcevic N et al. Phys. Rev. B 43 6712 (1991)
  125. Белогорохов А И и др. ФТТ 34 1651 (1992)
  126. Romcevic N, Popovic Z V, Khokhlov D R J. Phys Condens. Matter 7 5105 (1995)
  127. Khokhlov D R, Volkov B A Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors, July 21 - 26, Berlin Vol. 4 (Ed. M Scheffer) (Singapore: World Scientific, 1996) p. 2941
  128. Акимов Б А и др. Письма в ЖТФ 6 1269 (1980)
  129. Абдуллин Х А, Лебедев А И ФТП 19 1725 (1985)
  130. Абдуллин Х А, Лебедев А И Письма в ЖЭТФ 39 272 (1984)
  131. Herrmann K H, Moellmann K-P Phys. Status Solidi A 91 K147 (1985)
  132. Moellmann K-P, Happ M Phys. Status Solidi A 91 K71 (1985)
  133. McKnight S W, El-Rayess M K Semicond. Sci. Technol. 6 C42 (1991)
  134. Chishko V F et al. Infrared Phys. 33 197 (1992)
  135. Бушмарина Г С и др. ФТП 11 1874 (1977)
  136. Белогорохов А И, Слынько Е И, Хохлов Д Р Письма в ЖТФ 18 30 (1992)
  137. Гришечкина С П и др. ФТП 25 677 (1991)
  138. Акимов Б А и др. ФТП 29 2015 (1995)
  139. Belogorokhov A I et al. Brasil. J. Phys. 26 308 (1996)
  140. Волков Б А, Ручайский О М Письма в ЖЭТФ 62 205 (1995)
  141. Кайданов В И и др. ФТП 24 144 (1990)
  142. Винчаков В Н и др. Письма в ЖЭТФ 43 384 (1986)
  143. Винчаков В Н, Кайданов В И, Рыков С А ФТП 15 2235 (1981)
  144. Акимов Б А, Львова Н А, Рябова Л И ФТП 30 1647 (1996)
  145. Драбкин И А, Квантов М А, Компанеец В В ФТП 13 2064 (1979)
  146. Mac W, Story T, Twardowski A Acta Phys. Pol. A 87 492 (1995)
  147. Васильев А Н и др. ЖЭТФ 114 1859 (1998)
  148. Akimov B A et al. Infrared Applications of Semiconductors II: Symp., Dec. - 4, 1997, Boston, Mass., USA (Materials Research Society Symp. Proc., Vol. 484, Ed. D L McDaniel et al.) (Pittsburgh PA: Materials Research Soc., 1998) p. 359
  149. Akimov B A et al. Phys. Status Solidi B 210 787 (1998)
  150. Акимов Б А и др. ФТП 31 133 (1997)
  151. Акимов Б А и др. ФТП 23 668 (1989)
  152. Khokhlov D R et al. Physica B 177 491 (1992)
  153. де Виссер А и др. ФТП 26 1034 (1992)
  154. Khokhlov D R et al. Solid State Commun. 82 759 (1992)
  155. Каган Ю М, Кикоин K А Письма в ЖЭТФ 31 367 (1980)
  156. Литвинов В И, Товстюк К Д ФТТ 24 896 (1982)
  157. Панкратов О А, Волков Б А ЖЭТФ 88 164 (1985)
  158. Pankratov O A, Volkov B A Sov. Sci. Reviews Sect. A Phys. Rev. 9 355 (1987)
  159. Pankratov O A, Povarov P P Solid State Commun. 66 847 (1988)
  160. Драбкин И А, Мойжес Б Я ФТП 15 625 (1981)
  161. Белогорохов А И и др. Письма в ЖЭТФ 72 178 (2000)
  162. Базь А И, Зельдович Я Б, Переломов А М Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике 2-е изд. (М.: Наука, 1971), Гл. 1, пп. 3, 4
  163. Бете Г Квантовая механика (М.: Мир, 1965) с. 191
  164. Wolf J, Lemke D Infrared Phys. 25 327 (1985)
  165. Haller E E, Hueschen M R, Richards P L Appl. Phys. Lett. 34 495 (1979)
  166. Reynolds D B et al. IEEE Trans. Nucl. Sci. 36 857 (1989)
  167. Wu I C et al. Appl. Phys. Lett. 58 1431 (1991)
  168. Lambrecht A et al. Semicond. Sci. Technol. 8 S334 (1993)
  169. Zogg H et al. Semicond. Sci. Technol. 6 C36 (1991)
  170. Скипетров Е П, Некрасова А Н, Хорош А Г ФТП 28 815 (1994)
  171. Акимов Б А, частное сообщение
  172. Akimov B A et al. Infrared Phys. 34 375 (1993)
  173. Акимов Б А и др. Письма в ЖТФ 14 731 (1988)
  174. Akimov B A, Khokhlov D R Semicond. Sci. Technol. 8 S349 (1993)
  175. Долженко Д Е и др. Письма в ЖЭТФ 55 125 (1992)
  176. Голубев В Г и др. ФТП 11 1704 (1977)
  177. Khokhlov D R et al. Appl. Phys. Lett. 76 2835 (2000)
  178. Белогорохов А И и др. Письма в ЖЭТФ 63 342 (1996)
  179. Chesnokov S N et al. Infrared Phys. 35 23 (1994)
  180. Akimov B A et al. Solid State Commun. 66 811 (1988)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение