Гетероструктуры Ge_xSi_1-x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе Ge_xSi_1-x/Si, в частности, обсуждается использование «податливых» и «мягких» подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все) DOI: 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ 000173467700001 Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П, Чикичев С И "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур" УФН 171 689–715 (2001) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Silicon – germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures A1 Bolkhovityanov,Yu.B. A1 Pchelyakov,O.P. A1 Chikichev,S.I. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2001 FD 10 Jul, 2001 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 171 IS 7 SP 689-715 DO 10.3367/UFNr.0171.200107a.0689 LK https://ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/ English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P, Chikichev S I “Silicon-germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures” Phys. Usp. 44 655–680 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n07ABEH000879