61.72.Lk Linear defects: dislocations, disclinations 62.25.+g Mechanical properties of nanoscale materials 73.40.Kp III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions 81.15.−z Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy

В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко и др. «Многослойная рентгеновская оптика на основе бериллия» 190 92–106 (2020)
07.60.−j, 07.85.Fv, 42.79.−e, 68.35.Ct, 68.35.Fx, 68.47.De, 68.55.A, 68.65.Ac, 81.15.−z (все)
Т.С. Аргунова, В.Г. Кон «Исследование микропор в монокристаллах методом фазово-контрастного изображения на просвет в синхротронном излучении» 189 643–658 (2019)
42.25.Fx, 42.25.Kb, 61.72.−y, 61.72.Ff, 61.72.Lk (все)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» 178 459–480 (2008)
61.72.Lk, 62.25.−g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.−z, 85.40.Sz (все)
Е.Г. Максимов, И. Божович и др. «Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук «Комнатная сверхпроводимость» (4 октября 2007 г.)» 178 175–179 (2008)
74.20.−z, 74.20.Mn, 74.45.+c, 74.62.−c, 74.70.−b, 74.72.−h, 74.78.−w, 81.15.−z (все)
И. Божович «Эксперименты с атомарно гладкими тонкими пленками сверхпроводящих купратов: сильное электрон-фононное взаимодействие и другие сюрпризы» 178 179–190 (2008)
74.45.+c, 74.78.−w, 81.15.−z (все)
А.В. Елецкий «Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе» 177 233–274 (2007)
61.46.+w, 62.25.+g, 81.07.−b, 85.85.+j (все)
Г.Н. Макаров «Экстремальные процессы в кластерах при столкновении с твердой поверхностью» 176 121–174 (2006)
34.50.−s, 36.40.−c, 43.25.Cb, 79.20.Rf, 81.15.−z (все)
М.О. Катанаев «Геометрическая теория дефектов» 175 705–733 (2005)
02.40.−k, 46.05.+b, 61.72.Lk, 63.20.Mt (все)
А.Д. Погребняк, Ю.Н. Тюрин «Модификация свойств материалов и осаждение покрытий с помощью плазменных струй» 175 515–544 (2005)
52.77.−j, 81.15.−z, 81.65.−b, 82.45.Bb (все)
А.И. Мусиенко, Л.И. Маневич «Аналоги релятивистских эффектов в классической механике» 174 861–886 (2004)
03.30.+p, 05.45.Yv, 11.15.−q, 61.72.Lk (все)
Ю.С. Нечаев «Характеристики гидридоподобных сегрегаций водорода на дислокациях в палладии» 171 1251–1261 (2001)
61.72.Lk, 61.72.Ss, 64.75.+g, 66.30.Jt (все)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
Э.В. Девятов, А.А. Шашкин и др. «Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле» 170 327–331 (2000)
72.20.My, 73.40.Kp (все)
В.И. Бойко, А.Н. Валяев, А.Д. Погребняк «Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц» 169 1243–1271 (1999)
41.75.−i, 61.80.−x, 81.15.−z, 81.40.−z (все)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов «Процессы конденсации тонких пленок» 168 1083–1116 (1998)
68.35.−p, 68.18.+p, 68.15.+e, 81.15.−z (все)
В.А. Волков, Э.Е. Тахтамиров «Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и метод эффективной массы для полупроводниковых гетероструктур» 167 1123–1128 (1997)
71.25.Cx, 73.20.Dx, 73.40.Kp
В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина «Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах» 165 887–917 (1995)
61.72.Lk, 71.55.Cn, 72.80.Cw (все)
А.И. Олемской, И.А. Скляр «Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации» 162 (6) 29–79 (1992)
62.20.Fe, 61.72.Ji, 61.72.Lk, 61.72.Bb (все)
В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
А.П. Силин «Сильные магнитные поля в физике полупроводников» 155 736–737 (1988)
01.30.Vv, 72.20.Ht, 73.43.−f, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 72.20.My (все)
И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» 155 219–264 (1988)
73.20.At, 73.40.Qv, 73.40.Kp, 71.70.Di, 73.40.Cg, 72.20.Jv (все)
О.А. Панкратов «Двумерные системы: физика и новые приборы» 152 720–721 (1987)
01.30.Vv, 81.15.−z, 71.55.−i, 73.43.−f (все)
Л.Н. Рашкович, О.А. Шустин «Новые оптические интерференционные методы исследования кинетики кристаллизации в растворе» 151 529–535 (1987)
81.10.Dn, 61.72.Lk (все)
С.С. Рожков «Топология, многообразия и гомотопия: основные понятия и приложения к моделям n-поля» 149 259–273 (1986)
02.40.−k, 11.27.+d, 11.15.−q, 61.72.Lk, 61.30.−v, 75.50.−y (все)
В.Г. Чудинов «Моделирование радиационных процессов на ЭВМ» 145 542–544 (1985)
61.72.Bb, 61.72.Ji, 61.72.Lk, 61.80.Hg, 61.82.Bg (все)
В.Р. Регель «Некоторые проблемы современных исследований механических свойств кристаллов» 143 494–495 (1984)
62.20.Fe, 81.40.Lm, 61.72.Lk (все)
В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» 142 219–264 (1984)
61.72.Ji, 61.72.Bb, 61.72.Yx, 66.30.Lw, 61.72.Lk, 61.72.Mm (все)
Ю.А. Ильинский, Р.В. Хохлов «О возможности наблюдения вынужденного γ-излучения» 110 449–451 (1973)
61.80.Ed, 61.72.Lk, 76.60.Cq, 71.70.Ej (все)
К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» 109 765–768 (1973)
85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq (все)
Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
Ю.А. Осипьян «О взаимодействии дислокаций с носителями тока в кристаллах» 104 682–683 (1971)
61.72.Lk, 61.72.Hh, 62.20.Fe, 72.20.Jv, 61.72.Ji, 72.20.Fr (все)
А.Л. Суворов «Автоионная микроскопия радиационных дефектов в монокристаллах» 101 21–52 (1970)
61.80.Hg, 61.80.Jh, 61.80.Fe, 61.72.Ji, 61.72.Lk (все)
А.М. Косевич «Динамическая теория дислокаций» 84 579–609 (1964)
61.72.Lk, 61.72.Bb, 62.20.Dc (все)
В.И. Фистуль, Н.З. Шварц «Туннельные диоды» 77 109–160 (1962)
85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
Р.И. Гарбер, И.А. Гиндин «Физика прочности кристаллических тел» 70 57–110 (1960)
62.20.Fe, 62.20.Mk, 81.40.Lm, 81.40.Np, 61.72.Lk, 61.72.Mm (все)

Указатель PACS