Указатель PACS

81.10.−h Methods of crystal growth; physics and chemistry of crystal growth, crystal morphology, and orientation
  1. Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» 187 577–598 (2017)
    33.15.Pw, 33.50.Dq, 42.50.Ex, 61.46.−w, 61.71.U-, 63.20.kp, 63.20.Pw, 78.55.−m, 81.10.−h (все)
  2. И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света» 186 504–517 (2016)
    42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
  3. Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» 186 518–523 (2016)
    42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
  4. Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN» 186 524–536 (2016)
    42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
  5. В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия» 185 1163–1178 (2015)
    67.80.−s, 81.10.−h (все)
  6. Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» 185 143–159 (2015)
    68.55.A−, 81.05.ug, 81.10.−h, 82.33.Ya (все)
  7. А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» 178 243–266 (2008)
    44.05.+e, 81.10.−h, 87.15.Aa, 87.54.Br (все)
  8. Н.А. Бенделиани «Гидротермальное выращивание стишовита (SiO2)» 172 485–486 (2002)
    81.10.−h
  9. В.А. Бородин «Создание оборудования нового поколения для роста кристаллов из расплава. Развитие Экспериментального завода научного приборостроения РАН в новых экономических условиях» 170 999–1002 (2000)
    07.90.+c, 81.10.−h, 81.10.Fq (все)
  10. В.И. Александров, Т.Т. Басиев и др. «Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)» 162 (4) 165–167 (1992)
    01.60.+q, 81.10.−h (все)
  11. Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
    74.72.−h, 74.62.Bf, 81.10.−h, 74.25.Dw, 61.66.Fn (все)
  12. В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
    01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение