Указатель PACS

72.20.Fr Low-field transport and mobility; piezoresistance
  1. В.Я. Покровский, С.Г. Зыбцев и др. «Высокочастотные, «квантовые» и электромеханические эффекты в квазиодномерных кристаллах с волной зарядовой плотности» 183 33–54 (2013)
    61.44.Fw, 62.25.−g, 71.45.Lr, 72.20.Fr, 73.20.Mf, 78.70.Gq (все)
  2. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» 162 (2) 63–105 (1992)
    71.55.Gs, 75.30.Hx, 72.20.Fr, 72.80.Jc (все)
  3. Я.Б. Зельдович, А.Л. Бучаченко, Е.Л. Франкевич «Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике» 155 3–45 (1988)
    75.40.Gb, 82.50.−m, 72.20.Fr, 71.35.−y (все)
  4. А.А. Самохвалов, В.В. Осипов «Электрон-магнонное взаимодействие в магнитных полупроводниках» 145 153–155 (1985)
    75.30.Ds, 75.50.Pp, 72.20.Fr, 72.80.−r, 75.60.Ej, 78.20.Ls (все)
  5. Э.И. Рашба, З.С. Грибников, В.Я. Кравченко «Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах» 119 3–47 (1976)
    72.20.My, 72.20.Fr, 72.10.−d (все)
  6. В.В. Леманов, Г.А. Смоленский «Гиперзвуковые волны в кристаллах» 108 465–501 (1972)
    78.70.Gq, 78.35.+c, 63.20.Kr, 75.30.Ds, 75.80.+q, 72.20.Fr (все)
  7. Ю.А. Осипьян «О взаимодействии дислокаций с носителями тока в кристаллах» 104 682–683 (1971)
    61.72.Lk, 61.72.Hh, 62.20.Fe, 72.20.Jv, 61.72.Ji, 72.20.Fr (все)
  8. Н.Н. Ибрагимов, Г.М. Алиев и др. «О некоторых итогах исследования селена» 99 503–505 (1969)
    01.10.Hx, 72.20.Fr, 72.80.−r, 76.30.−v (все)
  9. А.Г. Аронов, В.С. Оскотский «VI Всесоюзное совещание по теории полупроводников» 88 161–177 (1966)
    72.20.Jv, 72.30.+q, 72.20.Fr, 63.20.Kr, 62.65.+k (все)
  10. Е.Л. Столярова «Полупроводниковые детекторы ядерных излучений» 81 641–668 (1963)
    29.40.Wk, 72.20.Jv, 72.20.Fr, 61.80.Ed (все)
  11. К.Б. Толпыго, И.Б. Левинсон «V Всесоюзное совещание по теории полупроводников» 81 557–566 (1963)
    01.30.Cc, 71.15.−m, 72.40.+w, 72.20.Fr, 72.20.My, 72.20.Pa (все)
© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение