Указатель PACS

73.40.Kp III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions
  1. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
    61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.−z (все)
  2. Э.В. Девятов, А.А. Шашкин и др. «Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле» 170 327–331 (2000)
    72.20.My, 73.40.Kp (все)
  3. В.А. Волков, Э.Е. Тахтамиров «Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и метод эффективной массы для полупроводниковых гетероструктур» 167 1123–1128 (1997)
    71.25.Cx, 73.20.Dx, 73.40.Kp
  4. А.П. Силин «Сильные магнитные поля в физике полупроводников» 155 736–737 (1988)
    01.30.Vv, 72.20.Ht, 73.43.−f, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 72.20.My (все)
  5. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» 155 219–264 (1988)
    73.20.At, 73.40.Qv, 73.40.Kp, 71.70.Di, 73.40.Cg, 72.20.Jv (все)
  6. К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития» 109 765–768 (1973)
    85.40.−e, 85.30.−z, 73.40.Kp, 73.40.Lq (все)
  7. Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
    73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
  8. В.И. Фистуль, Н.З. Шварц «Туннельные диоды» 77 109–160 (1962)
    85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение