Выпуски

 / 

2019

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

, , , , , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы
PACS: 81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038437
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/
Цитата: Лебедев А А, Иванов П А, Левинштейн М Е, Мохов Е Н, Нагалюк С С, Анисимов А Н, Баранов П Г "Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 803–848 (2019)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)
A1 Lebedev,A.A.
A1 Ivanov,P.A.
A1 Levinshtein,M.E.
A1 Mokhov,E.N.
A1 Nagalyuk,S.S.
A1 Anisimov,A.N.
A1 Baranov,P.G.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2019
FD 10 Aug, 2019
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 189
IS 8
SP 803-848
DO 10.3367/UFNr.2018.10.038437
LK https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/

Поступила: 4 сентября 2018, доработана: 1 октября 2018, 4 октября 2018

English citation: Lebedev A A, Ivanov P A, Levinshtein M E, Mokhov E N, Nagalyuk S S, Anisimov A N, Baranov P G “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)Phys. Usp. 62 754–794 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038437

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение