Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.
Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы PACS:81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все) DOI:10.3367/UFNr.2018.10.038437 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/ 000504891900002 2-s2.0-85076766922 2019PhyU...62..754L Цитата: Лебедев А А, Иванов П А, Левинштейн М Е, Мохов Е Н, Нагалюк С С, Анисимов А Н, Баранов П Г "Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН189 803–848 (2019)
RT Journal
T1 Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
A1 Лебедев,А.А.
A1 Иванов,П.А.
A1 Левинштейн,М.Е.
A1 Мохов,Е.Н.
A1 Нагалюк,С.С.
A1 Анисимов,А.Н.
A1 Баранов,П.Г.
PB Успехи физических наук
PY 2019
FD 10 Aug, 2019
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 189
IS 8
SP 803-848
DO 10.3367/UFNr.2018.10.038437
LK https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/c/
Поступила: 4 сентября 2018, доработана: 1 октября 2018, одобрена в печать: 4 октября 2018